单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedonsemiTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA(Ta)4A(Ta)32A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V3V,8V5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2 毫欧 @ 30A,8V39 毫欧 @ 4A,4.5V1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.6V @ 250µA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.1 nC @ 4.5 V31 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V+10V,-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V294 pF @ 10 V4280 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)900mW(Ta)3.2W(Ta)
供应商器件封装
8-VSON-CLIP(5x6)SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG3415U-7
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Diodes Incorporated
5,724
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77923
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4A(Ta)
1.8V,4.5V
39 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
9.1 nC @ 4.5 V
±8V
294 pF @ 10 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC70, SOT−323, 419−04
2N7002KW
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
onsemi
58,372
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.66588
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
310mA(Ta)
5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.1V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
8-Power TDFN
CSD17311Q5
MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Texas Instruments
3,705
现货
7,687
市场
1 : ¥15.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.09882
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
32A(Ta),100A(Tc)
3V,8V
2 毫欧 @ 30A,8V
1.6V @ 250µA
31 nC @ 4.5 V
+10V,-8V
4280 pF @ 15 V
-
3.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSON-CLIP(5x6)
8-PowerTDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。