单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-HEXFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）4.3A（Ta）8.6A（Ta），42.5A（Tc）12A（Ta）32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V5V10V10V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.5 毫欧 @ 12A，20V13.3 毫欧 @ 8.6A，10V21 毫欧 @ 10A，10V50 毫欧 @ 4.3A，4.5V6 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA2.1V @ 1mA2.4V @ 25µA2.5V @ 250µA2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.4 nC @ 5 V15 nC @ 5 V50.1 nC @ 10 V52 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 25 V830 pF @ 10 V1469 pF @ 25 V1650 pF @ 15 V1680 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）1.3W（Ta）1.7W（Ta），40W（Tc）2.5W（Ta）55W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOLFPAK33Micro3™/SOT-23MLPAK33SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BVSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
4,970
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68128
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 100mA，10V
2.8V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
50,126
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88634
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 4.3A，4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power VDFN
PXP013-30QLJ
PXP013-30QL/SOT8002/MLPAK33
Nexperia USA Inc.
4,325
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.70683
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.6A（Ta），42.5A（Tc）
4.5V，10V
13.3 毫欧 @ 8.6A，10V
2.5V @ 250µA
50.1 nC @ 10 V
±20V
1650 pF @ 15 V
-
1.7W（Ta），40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
MLPAK33
8-PowerVDFN
LFPAK33
BUK9M24-60EX
MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,724
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.83640
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
32A（Tc）
5V
21 毫欧 @ 10A，10V
2.1V @ 1mA
12.4 nC @ 5 V
±10V
1469 pF @ 25 V
-
55W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
IRF9388TRPBF
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Infineon Technologies
35,086
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.65507
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta）
10V，20V
8.5 毫欧 @ 12A，20V
2.4V @ 25µA
52 nC @ 10 V
±25V
1680 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。