单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）10.5A（Ta），16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18.5 毫欧 @ 4A，10V150 毫欧 @ 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13.5 nC @ 10 V14 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
540 pF @ 30 V708 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1.2W（Ta）3.7W（Ta），31.2W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-223-3
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SIR4606DP-T1-GE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
10,295
现货
1 : ¥9.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.10270
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10.5A（Ta），16A（Tc）
7.5V，10V
18.5 毫欧 @ 4A，10V
4V @ 250µA
13.5 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 30 V
-
3.7W（Ta），31.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-223-3
DMP6185SE-13
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Diodes Incorporated
20,970
现货
1,195,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.28414
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4.5V，10V
150 毫欧 @ 2.2A，10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
708 pF @ 30 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。