单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
100 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）2.4A（Tc）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 150A，10V3 欧姆 @ 1.4A，10V6 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.6V @ 1mA3.8V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V211 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 25 V360 pF @ 25 V16000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）2.5W（Ta），42W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKPG-HSOF-8-1SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerSFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
327,242
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49108
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 100mA，10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
x-xSOF-8-1
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
15,829
现货
1 : ¥56.23000
剪切带（CT）
2,000 : ¥29.89270
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 250µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
D-PAK (TO-252AA)
IRFR420TRPBF
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Vishay Siliconix
5,222
现货
1 : ¥10.18000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.20233
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
2.4A（Tc）
10V
3 欧姆 @ 1.4A，10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
360 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。