255A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
25 V100 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
7V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.11 毫欧 @ 25A，10V2.2 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 2mA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
98 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6249 pF @ 12 V17200 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
192W（Tc）341W（Tc）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8LFPAK88（SOT1235）
封装/外壳
SC-100，SOT-669SOT-1235
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMNR98-25YLEX
PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK
Nexperia USA Inc.
860
现货
1 : ¥19.13000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.16681
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
255A（Tc）
7V，10V
1.11 毫欧 @ 25A，10V
2.2V @ 2mA
98 nC @ 10 V
±20V
6249 pF @ 12 V
-
192W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
PSMN1R9-80SSEJ
PSMN2R3-100SSEJ
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥47.86000
剪切带（CT）
2,000 : ¥23.29366
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
255A（Tc）
10V
2.2 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
160 nC @ 10 V
±20V
17200 pF @ 50 V
-
341W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK88（SOT1235）
SOT-1235
显示
/ 2

255A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。