250mA（Tj） 单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Littelfuse Inc.Microchip Technology
系列
-Depletion
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带盒（TB）袋
FET 类型
N 通道P 通道
技术
-MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V90 V200 V500 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 欧姆 @ 500mA，10V8 欧姆 @ 500mA，10V12 欧姆 @ 500mA，10V13 欧姆 @ 400mA，10V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 1mA3.5V @ 1mA4V @ 1mA-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60 pF @ 25 V150 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
1W（Tc）1.6W（Ta）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-
安装类型
-表面贴装型通孔
供应商器件封装
-TO-243AA（SOT-89）TO-92-3
封装/外壳
-TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-243AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VP0106N3-G
MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Microchip Technology
1,066
现货
1 : ¥8.70000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Tj）
5V，10V
8 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 1mA
±20V
60 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VP0109N3-G
MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3
Microchip Technology
509
现货
1 : ¥9.52000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
90 V
250mA（Tj）
5V，10V
8 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 1mA
±20V
60 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
C04-029 MB
VN2450N8-G
MOSFET N-CH 500V 250MA TO243AA
Microchip Technology
17,456
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.27716
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
250mA（Tj）
4.5V，10V
13 欧姆 @ 400mA，10V
4V @ 1mA
±20V
150 pF @ 25 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TN0620N3-G-P002
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Microchip Technology
6,324
现货
1 : ¥14.20000
剪切带（CT）
2,000 : ¥10.83704
带盒（TB）
-
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
250mA（Tj）
5V，10V
6 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 1mA
±20V
150 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TN0620N3-G
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Microchip Technology
737
现货
1 : ¥13.38000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
250mA（Tj）
5V，10V
6 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 1mA
±20V
150 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VP2106N3-G
MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Microchip Technology
461
现货
1 : ¥5.25000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Tj）
5V，10V
12 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 1mA
±20V
60 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VP0104N3-G
MOSFET P-CH 40V 250MA TO92-3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥8.37000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
250mA（Tj）
5V，10V
8 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 1mA
±20V
60 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
0
现货
查看交期
2,500 : ¥10.64013
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
-
-
250mA（Tj）
-
-
-
±20V
-
耗尽模式
-
-
-
-
-
-
-
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TN0620N3-G-P014
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
2,000 : ¥10.83704
带盒（TB）
-
带盒（TB）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
250mA（Tj）
5V，10V
6 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 1mA
±20V
150 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
显示
/ 9

250mA（Tj） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。