25.8A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiQorvo
系列
-QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
漏源电压(Vdss)
100 V750 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
52 毫欧 @ 12.9A,10V74 毫欧 @ 20A,12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA4V @ 250µA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
37.8 nC @ 15 V40 nC @ 5 V51 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1420 pF @ 400 V1500 pF @ 25 V1630 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
83W(Tc)128W(Tc)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAK-7TO-3PF
封装/外壳
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CATO-3P-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
UF3C120080B7S
UJ4C075060B7S
750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Qorvo
1,297
现货
1 : ¥66.09000
剪切带(CT)
800 : ¥41.66449
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
750 V
25.8A(Tc)
12V
74 毫欧 @ 20A,12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1420 pF @ 400 V
-
128W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-220F
FQAF33N10L
MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
25.8A(Tc)
5V,10V
52 毫欧 @ 12.9A,10V
2V @ 250µA
40 nC @ 5 V
±20V
1630 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
TO-220F
FQAF33N10
MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
25.8A(Tc)
10V
52 毫欧 @ 12.9A,10V
4V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±25V
1500 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
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25.8A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。