23A(Ta),157A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-FASTIRFET™, HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
80 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.8 毫欧 @ 50A,10V3.9 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.6V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
64 nC @ 10 V74 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3120 pF @ 50 V4120 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),166W(Tc)4W(Ta),195W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)8-PQFN(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS6H801NT1G
MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
onsemi
4,737
现货
1 : ¥18.55000
剪切带(CT)
1,500 : ¥8.79015
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
23A(Ta),157A(Tc)
6V,10V
2.8 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
4120 pF @ 40 V
-
3.8W(Ta),166W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6H801NT1G
MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
onsemi
1,490
现货
1 : ¥21.92000
剪切带(CT)
1,500 : ¥10.40027
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
23A(Ta),157A(Tc)
10V
2.8 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
4120 pF @ 40 V
-
3.8W(Ta),166W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
8-PowerTDFN, 5 Leads
NVMFS6H801NWFT1G
MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
onsemi
3,000
现货
6,000
工厂
1 : ¥21.92000
剪切带(CT)
1,500 : ¥10.40027
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
23A(Ta),157A(Tc)
10V
2.8 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
4120 pF @ 40 V
-
3.8W(Ta),166W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
8-PowerTDFN,5 引线
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS6H801NT3G
TRENCH 8 80V NFET
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥21.92000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.50884
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
23A(Ta),157A(Tc)
10V
2.8 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
4120 pF @ 40 V
-
3.8W(Ta),166W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
8-PowerTDFN, 5 Leads
NVMFS6H801NWFT3G
TRENCH 8 80V NFET
onsemi
0
现货
1 : ¥19.13000
剪切带(CT)
5,000 : ¥8.29887
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
23A(Ta),157A(Tc)
10V
2.8 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
4120 pF @ 40 V
-
3.8W(Ta),166W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)
8-PowerTDFN,5 引线
8-Power TDFN
IRFH7182TRPBF
MOSFET N-CH 100V 23A/157A 8PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
23A(Ta),157A(Tc)
10V
3.9 毫欧 @ 50A,10V
3.6V @ 250µA
74 nC @ 10 V
±20V
3120 pF @ 50 V
-
4W(Ta),195W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
显示
/ 6

23A(Ta),157A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。