23A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 10
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V80 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.6 毫欧 @ 50A,10V2.7 毫欧 @ 50A,10V2.8 毫欧 @ 30A,10V2.8 毫欧 @ 50A,10V3 毫欧 @ 30A,10V3 毫欧 @ 50A,10V3.2 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 10mA2V @ 250µA2V @ 70µA2.2V @ 250µA2.2V @ 93µA2.8V @ 50µA3.8V @ 115µA3.8V @ 146µA4V @ 49µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
32 nC @ 10 V37 nC @ 10 V39 nC @ 5 V55 nC @ 10 V61 nC @ 10 V92 nC @ 10 V111 nC @ 10 V175 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1500 pF @ 15 V2300 pF @ 20 V2700 pF @ 30 V4300 pF @ 15 V4900 pF @ 20 V5080 pF @ 15 V6800 pF @ 40 V8200 pF @ 50 V13000 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),139W(Tc)2.5W(Ta),156W(Tc)2.5W(Ta),48W(Tc)2.5W(Ta),63W(Tc)2.5W(Ta),69W(Tc)2.5W(Ta),83W(Tc)2.8W(Ta),78W(Tc)3W(Ta),214W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-6PG-TDSON-8-7PG-TSON-8-3
库存选项
环境选项
媒体
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10结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC028N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
26,162
现货
1 : ¥21.84000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.45728
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
23A(Ta),100A(Tc)
6V,10V
2.8 毫欧 @ 50A,10V
2.8V @ 50µA
37 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC028N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
13,102
现货
1 : ¥23.89000
剪切带(CT)
5,000 : ¥11.13803
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
23A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.8 毫欧 @ 50A,10V
2.2V @ 93µA
175 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),139W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC026N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
9,217
现货
1 : ¥25.78000
剪切带(CT)
5,000 : ¥12.04106
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
23A(Ta),100A(Tc)
6V,10V
2.6 毫欧 @ 50A,10V
3.8V @ 115µA
92 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 40 V
-
2.5W(Ta),156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC030N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
17,763
现货
1 : ¥9.36000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.68099
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
23A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC030N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
44,705
现货
1 : ¥9.44000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.71117
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
23A(Ta),100A(Tc)
10V
3 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 49µA
61 nC @ 10 V
±20V
4900 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC026N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
10,118
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.20942
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
23A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.6 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),63W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC0902NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
25,474
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.66035
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
23A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.8 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 10mA
32 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),48W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
PG-TSON-8-3
BSC027N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Infineon Technologies
7,331
现货
1 : ¥38.83000
剪切带(CT)
5,000 : ¥18.14676
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
23A(Ta),100A(Tc)
6V,10V
2.7 毫欧 @ 50A,10V
3.8V @ 146µA
111 nC @ 10 V
±20V
8200 pF @ 50 V
-
3W(Ta),214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC032N03S
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
5,000 : ¥5.73530
卷带(TR)
卷带(TR)
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
23A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
3.2 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 70µA
39 nC @ 5 V
±20V
5080 pF @ 15 V
-
2.8W(Ta),78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC032N03SG
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥17.08000
剪切带(CT)
5,000 : ¥7.39199
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
23A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
3.2 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 70µA
39 nC @ 5 V
±20V
5080 pF @ 15 V
-
2.8W(Ta),78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
显示
/ 10

23A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。