230mA（Tj） 单 FET，MOSFET

结果 : 9
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带盒（TB）袋
漏源电压（Vdss）
60 V120 V350 V500 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V2.5V，10V3V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 欧姆 @ 500mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V10 欧姆 @ 150mA，0V10 欧姆 @ 300mA，0V15 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA-
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V60 pF @ 25 V110 pF @ 25 V125 pF @ 25 V200 pF @ 25 V360 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
400mW（Ta），1W（Tc）1W（Tc）1.6W（Ta）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-243AA（SOT-89）TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线TO-243AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN2222LL-G
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Microchip Technology
6,585
现货
1 : ¥4.43000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
230mA（Tj）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
±30V
60 pF @ 25 V
-
400mW（Ta），1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
C04-029 MB
DN3535N8-G
MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Microchip Technology
6,835
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.66449
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
350 V
230mA（Tj）
0V
10 欧姆 @ 150mA，0V
-
±20V
360 pF @ 25 V
耗尽模式
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN2222LL-G-P003
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Microchip Technology
2,004
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.02258
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
230mA（Tj）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
±30V
60 pF @ 25 V
-
400mW（Ta），1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7008-G
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Microchip Technology
2,354
现货
1 : ¥5.58000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
230mA（Tj）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
±30V
50 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN1206L-G
MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Microchip Technology
946
现货
1 : ¥17.73000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
230mA（Tj）
2.5V，10V
6 欧姆 @ 500mA，10V
2V @ 1mA
±30V
125 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN2222LL-G-P013
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Microchip Technology
2,164
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.02258
带盒（TB）
-
剪切带（CT）
带盒（TB）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
230mA（Tj）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
±30V
60 pF @ 25 V
-
400mW（Ta），1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
C04-029 MB
TN5335N8-G
MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Microchip Technology
1,439
现货
1 : ¥9.36000
剪切带（CT）
2,000 : ¥7.14213
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
350 V
230mA（Tj）
3V，10V
15 欧姆 @ 200mA，10V
2V @ 1mA
±20V
110 pF @ 25 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
C04-029 MB
DN2450N8-G
MOSFET N-CH 500V 230MA TO243AA
Microchip Technology
925
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.66449
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
230mA（Tj）
0V
10 欧姆 @ 300mA，0V
-
±20V
200 pF @ 25 V
耗尽模式
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN1206L-G-P002
MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
2,000 : ¥14.12012
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
230mA（Tj）
2.5V，10V
6 欧姆 @ 500mA，10V
2V @ 1mA
±30V
125 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
显示
/ 9

230mA（Tj） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。