22A（Ta），90A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

DMT6004LPS-13 MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060 Diodes Incorporated	16,982 现货 267,500 工厂	1 : ¥12.64000 剪切带（CT） 2,500 : ¥5.22883 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	22A（Ta），90A（Tc）	4.5V，10V	2.8 毫欧 @ 25A，10V	3V @ 250µA	96.3 nC @ 10 V	±20V	4515 pF @ 30 V	-	2.1W（Ta），105W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
BSB028N06NN3GXUMA1 MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON Infineon Technologies	14,268 现货	1 : ¥23.23000 剪切带（CT） 5,000 : ¥10.06860 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	22A（Ta），90A（Tc）	10V	2.8 毫欧 @ 30A，10V	4V @ 102µA	143 nC @ 10 V	±20V	12000 pF @ 30 V	-	2.2W（Ta），78W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	MG-WDSON-2，CanPAK M™	3-WDSON
NVD4C05NT4G MOSFET N-CH 30V DPAK-3 onsemi	0 现货	1 : ¥13.79000 剪切带（CT） 2,500 : ¥6.22400 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	22A（Ta），90A（Tc）	4.5V，10V	4.1 毫欧 @ 45A，10V	2.2V @ 250µA	14 nC @ 4.5 V	±20V	1950 pF @ 25 V	-	3.5W（Ta），57W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
BSB028N06NN3GXUMA2 TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies	0 现货查看交期	4,800 : ¥10.58819 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	22A（Ta），90A（Tc）	10V	2.8 毫欧 @ 30A，10V	4V @ 102µA	143 nC @ 10 V	±20V	12000 pF @ 30 V	-	2.2W（Ta），78W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	MG-WDSON-5-3	DirectFET™ 等容 MN