225A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IMZA120R007M1HXKSA1 SIC DISCRETE Infineon Technologies	228 现货	1 : ¥538.62000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	225A（Tc）	15V，18V	9.9 毫欧 @ 108A，18V	5.2V @ 47mA	289 nC @ 18 V	+20V，-5V	9170 pF @ 800 V	-	750W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-4-8	TO-247-4
DMTH61M8LPS-13 MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI Diodes Incorporated	1,715 现货 2,500 工厂	1 : ¥19.21000 剪切带（CT） 2,500 : ¥8.67872 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	225A（Tc）	4.5V，10V	1.6 毫欧 @ 30A，10V	3V @ 250µA	115.5 nC @ 10 V	±20V	8320 pF @ 30 V	-	3.2W（Ta），187.5W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
DMTH61M5SPSW-13 MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Diodes Incorporated	2,139 现货	1 : ¥16.34000 剪切带（CT） 2,500 : ¥7.35101 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	225A（Tc）	10V	1.5 毫欧 @ 30A，10V	4V @ 250µA	130.6 nC @ 10 V	±20V	8306 pF @ 30 V	-	3.2W（Ta），167W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerDI5060-8（SWP）	8-PowerTDFN
DMTH61M8LPSQ-13 MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Diodes Incorporated	2,500 现货	1 : ¥21.18000 剪切带（CT） 2,500 : ¥9.53890 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	225A（Tc）	4.5V，10V	1.6 毫欧 @ 30A，10V	3V @ 250µA	115.5 nC @ 10 V	±20V	8320 pF @ 30 V	-	3.2W（Ta），187.5W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	PowerDI5060-8（K 类）	8-PowerTDFN
DMTH41M2SPSQ-13 MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 Diodes Incorporated	2,112 现货	1 : ¥22.41000 剪切带（CT） 2,500 : ¥10.90990 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	225A（Tc）	10V	1.2 毫欧 @ 30A，10V	4V @ 250µA	138 nC @ 10 V	±20V	11085 pF @ 20 V	-	3.4W（Ta），158W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	PowerDI5060-8（K 类）	8-PowerTDFN
DMTH41M2SPS-13 MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 Diodes Incorporated	2,200 现货 5,000 工厂	1 : ¥23.31000 剪切带（CT） 2,500 : ¥10.50491 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	225A（Tc）	10V	1.2 毫欧 @ 30A，10V	4V @ 250µA	138 nC @ 10 V	±20V	11085 pF @ 20 V	-	3.4W（Ta），158W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerDI5060-8（K 类）	8-PowerTDFN
IXTN240N075L2 MOSFET N-CH 75V 225A SOT227B Littelfuse Inc.	3 现货	1 : ¥444.21000 管件	Linear L2™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	75 V	225A（Tc）	10V	7 毫欧 @ 120A，10V	4.5V @ 3mA	546 nC @ 10 V	±20V	19000 pF @ 25 V	-	735W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	底座安装	SOT-227B	SOT-227-4，miniBLOC
IMW120R007M1HXKSA1 SIC DISCRETE Infineon Technologies	0 现货查看交期	1 : ¥536.81000 管件	CoolSiC™	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	225A（Tc）	15V，18V	9.9 毫欧 @ 108A，18V	5.2V @ 47mA	289 nC @ 18 V	+20V，-5V	9170 pF @ 800 V	-	750W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3	TO-247-3
DMTH61M5SPSWQ-13 MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Diodes Incorporated	0 现货查看交期	2,500 : ¥8.16705 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	225A（Tc）	10V	1.5 毫欧 @ 30A，10V	4V @ 250µA	130.6 nC @ 10 V	±20V	8306 pF @ 30 V	-	3.2W（Ta），167W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	PowerDI5060-8（SWP）	8-PowerTDFN
DMTH4001SPSQ-13 MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506 Diodes Incorporated	0 现货	2,500 : ¥9.33048 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	225A（Tc）	10V	1 毫欧 @ 30A，10V	4V @ 250µA	144 nC @ 10 V	±20V	10787 pF @ 20 V	-	3.1W（Ta），187.5W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	PowerDI5060-8（K 类）	8-PowerTDFN
APT10M07JVFR MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP Microchip Technology	0 现货查看交期	10 : ¥558.31800 管件	POWER MOS V®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	225A（Tc）	-	7 毫欧 @ 500mA，10V	4V @ 5mA	1050 nC @ 10 V	-	21600 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	底座安装	ISOTOP®	SOT-227-4，miniBLOC
APT10M07JVR MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP Microsemi Corporation	0 现货	停产	POWER MOS V®	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	225A（Tc）	10V	-	4V @ 5mA	1050 nC @ 10 V	±30V	21600 pF @ 25 V	-	700W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	底座安装	ISOTOP®	SOT-227-4，miniBLOC