220A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 47
制造商
Diodes IncorporatedGoford SemiconductorIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronicsVishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIIHiPerFET™, PolarHiPerFET™, TrenchHiPerFET™, TrenchT2™HiperFET™, TrenchT3™HiPerFET™, Ultra X3PowerTrench®SGTSTripFET™TrenchMV™TrenchT2™Ultra X4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
-N 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V55 V60 V75 V80 V100 V150 V170 V200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.1 毫欧 @ 25A,10V1.1毫欧 @ 20A,10V1.3 毫欧 @ 20A,10V1.5 毫欧 @ 80A,10V1.6 毫欧 @ 20A,10V2.4 毫欧 @ 30A,10V2.5 毫欧 @ 30A,10V3 毫欧 @ 75A,10V3 毫欧 @ 80A,10V3.5 毫欧 @ 50A,10V4 毫欧 @ 100A,10V4 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA4.5V @ 4mA4.5V @ 8mA5V @ 250µA5V @ 8mA5.1V @ 500µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
46 nC @ 4.5 V50 nC @ 10 V64.7 nC @ 10 V112 nC @ 10 V119 nC @ 10 V131 nC @ 10 V132 nC @ 10 V136 nC @ 10 V155 nC @ 10 V157 nC @ 10 V158 nC @ 10 V162 nC @ 10 V165 nC @ 10 V166 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+16V,-10V+20V,-10V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3986 pF @ 20 V4043 pF @ 20 V6320 pF @ 40 V6820 pF @ 25 V7200 pF @ 25 V7216 pF @ 25 V7500 pF @ 30 V7700 pF @ 25 V7864 pF @ 25 V7967 pF @ 25 V8500 pF @ 25 V8650 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
90W(Tc)113W(Tc)125W(Tj)147W(Tj)188W(Tj)240W(Tc)250W(Tj)283W(Tc)300W(Tc)300W(Tj)312.5W(Tj)360W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-HPSOF-D2PAKDFN5060-CISO TO-247-3ISOTOP®PLUS247™-3PowerFlat™(5x6)SOT-227SOT-227BTO-220TO-220-3
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN-ISOTOPSOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-247-3 变式TO-247-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CBTO-264-3,TO-264AATO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
47结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 47
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-268HV
IXFT220N20X3HV
MOSFET N-CH 200V 220A TO268HV
Littelfuse Inc.
1,610
现货
1 : ¥169.19000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
220A(Tc)
10V
6.2 毫欧 @ 110A,10V
4.5V @ 4mA
204 nC @ 10 V
±20V
13600 pF @ 25 V
-
960W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268HV(IXFT)
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
8-PowerDFN
FDBL86366-F085
MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
onsemi
2,297
现货
1 : ¥25.61000
剪切带(CT)
2,000 : ¥12.45650
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
220A(Tc)
10V
3 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
112 nC @ 10 V
±20V
6320 pF @ 40 V
-
300W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
TO-264
IXFK220N17T2
MOSFET N-CH 170V 220A TO264AA
Littelfuse Inc.
413
现货
1,025
工厂
1 : ¥114.60000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
170 V
220A(Tc)
10V
6.3 毫欧 @ 60A,10V
5V @ 8mA
500 nC @ 10 V
±20V
31000 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264AA(IXFK)
TO-264-3,TO-264AA
8-PowerDFN
FDBL0330N80
MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
onsemi
1,970
现货
1 : ¥44.49000
剪切带(CT)
2,000 : ¥21.67641
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
220A(Tc)
10V
3 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
112 nC @ 10 V
±20V
6320 pF @ 40 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
TO-264
IXFK220N20X3
MOSFET N-CH 200V 220A TO264
Littelfuse Inc.
310
现货
400
工厂
1 : ¥162.05000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
220A(Tc)
10V
6.2 毫欧 @ 110A,10V
4.5V @ 4mA
204 nC @ 10 V
±20V
13600 pF @ 25 V
-
960W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264
TO-264-3,TO-264AA
BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS
BUK7J1R0-40HX
BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS
Nexperia USA Inc.
2,921
现货
1 : ¥29.64000
剪切带(CT)
1,500 : ¥15.33501
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
-
-
220A(Tc)
-
-
-
-
+20V,-10V
-
-
-
-
汽车级
AEC-Q101
-
-
-
MCBS220N04Y-TP
MCBS220N04Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,TO-263-7
Micro Commercial Co
1,600
现货
1 : ¥36.38000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
220A(Tc)
6V,10V
1.1毫欧 @ 20A,10V
4.5V @ 250µA
132 nC @ 10 V
±20V
7967 pF @ 25 V
-
188W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
TO-263AB
IXFA220N06T3
MOSFET N-CH 60V 220A TO263
IXYS
160
现货
1 : ¥39.24000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
220A(Tc)
10V
4 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 250µA
136 nC @ 10 V
±20V
8500 pF @ 25 V
-
440W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247_IXFH
IXFH220N06T3
MOSFET N-CH 60V 220A TO247
IXYS
300
现货
1 : ¥49.34000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
220A(Tc)
10V
4 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 250µA
136 nC @ 10 V
±20V
8500 pF @ 25 V
-
440W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
TO-264
IXFK220N15P
MOSFET N-CH 150V 220A TO264AA
Littelfuse Inc.
23
现货
1 : ¥191.36000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
220A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 500mA,10V
4.5V @ 8mA
162 nC @ 10 V
±20V
15400 pF @ 25 V
-
1250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264AA(IXFK)
TO-264-3,TO-264AA
GT52N10T
GT013N04TI
N40V, 220A,RD<2.5M@10V,VTH2.0V~5
Goford Semiconductor
66
现货
1 : ¥12.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
220A(Tc)
10V
2.5 毫欧 @ 30A,10V
5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
3986 pF @ 20 V
-
90W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
Littelfuse_power_Semi_TO-247-3L
IXTH220N20X4
MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO-247
Littelfuse Inc.
0
现货
390
工厂
查看交期
1 : ¥150.72000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
220A(Tc)
10V
5.5 毫欧 @ 110A,10V
4.5V @ 250µA
157 nC @ 10 V
±20V
12300 pF @ 25 V
-
800W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
ISO TO-247-3
TO-247-3
IXYK1x0xNxxxx
IXFN230N20T
MOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥300.54000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
220A(Tc)
10V
7.5 毫欧 @ 60A,10V
5V @ 8mA
378 nC @ 10 V
±20V
28000 pF @ 25 V
-
1090W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
IXTH220N20X4HV
IXTT220N20X4HV
MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO268HV
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥152.28000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
220A(Tc)
10V
5.5 毫欧 @ 110A,10V
4.5V @ 250µA
157 nC @ 10 V
±20V
12300 pF @ 25 V
-
800W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268HV(IXTT)
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-220-3
IXTP220N04T2
MOSFET N-CH 40V 220A TO220AB
Littelfuse Inc.
1
现货
1 : ¥32.10000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
220A(Tc)
10V
3.5 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
112 nC @ 10 V
±20V
6820 pF @ 25 V
-
360W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-247_IXFH
IXFH220N20X3
MOSFET N-CH 200V 220A TO247
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥160.33000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
220A(Tc)
10V
6.2 毫欧 @ 110A,10V
4.5V @ 4mA
204 nC @ 10 V
±20V
13600 pF @ 25 V
-
960W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
0
现货
查看交期
1 : ¥43.76000
剪切带(CT)
8,000 : ¥21.11996
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
220A(Tc)
6V,10V
6.5 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
9177 pF @ 75 V
-
312.5W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
0
现货
查看交期
5,000 : ¥7.72545
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
220A(Tc)
4.5V,10V
1.3 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
131 nC @ 10 V
±20V
7216 pF @ 25 V
-
125W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN5060-C
8-PowerTDFN
PowerFlat™
STL220N3LLH7
MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT
STMicroelectronics
0
现货
3,000 : ¥8.33687
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
220A(Tc)
4.5V,10V
1.1 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 250µA
46 nC @ 4.5 V
±20V
8650 pF @ 25 V
-
113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
0
现货
查看交期
5,000 : ¥9.26341
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
220A(Tc)
4.5V,10V
1.6 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
119 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 30 V
-
147W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN5060-C
8-PowerTDFN
0
现货
查看交期
5,000 : ¥12.21980
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
220A(Tc)
4.5V,10V
1.6 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
119 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 30 V
-
147W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN5060-C
8-PowerTDFN
BUK9J0R9-40H/SOT1023/4 LEADS
BUK9J0R9-40HX
BUK9J0R9-40H/SOT1023/4 LEADS
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
1,500 : ¥13.12450
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
-
-
-
220A(Tc)
-
-
-
-
+16V,-10V
-
-
-
-
汽车级
AEC-Q101
-
-
-
TO-220-3
DMNH45M7SCT
MOSFET N-CH 40V 220A TO220AB
Diodes Incorporated
0
现货
1 : ¥15.02000
管件
-
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
220A(Tc)
10V
6 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
64.7 nC @ 10 V
±20V
4043 pF @ 20 V
-
240W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
0
现货
查看交期
800 : ¥19.45881
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
220A(Tc)
6V,10V
1.5 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
136 nC @ 10 V
±20V
7864 pF @ 25 V
-
250W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
0
现货
查看交期
800 : ¥19.52438
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
220A(Tc)
6V,10V
1.5 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
136 nC @ 10 V
±20V
7864 pF @ 25 V
-
250W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 47

220A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。