21A（Ta），97A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
供应商器件封装
8-SON8-VSON-CLIP（5x6）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD16322Q5
MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8VSON
Texas Instruments
4,908
现货
1 : ¥9.61000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.98412
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
21A（Ta），97A（Tc）
3V，8V
5 毫欧 @ 20A，8V
1.4V @ 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
1365 pF @ 12.5 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN Exposed Pad
CSD16322Q5C
MOSFET N-CH 25V 21A/97A 8SON
Texas Instruments
149
现货
1 : ¥11.99000
剪切带（CT）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
21A（Ta），97A（Tc）
3V，8V
5 毫欧 @ 20A，8V
1.4V @ 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
1365 pF @ 12.5 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SON
8-PowerTDFN
显示
/ 2

21A（Ta），97A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。