20A 单 FET,MOSFET

结果 : 13
制造商
Diotec SemiconductorMicro Commercial CoToshiba Semiconductor and Storage
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V60 V100 V600 V650 V700 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12 毫欧 @ 10A,10V20 毫欧 @ 10A,10V37 毫欧 @ 10A,10V45 毫欧 @ 10A,10V45 毫欧 @ 20A,10V48 毫欧 @ 10A,10V180 毫欧 @ 10A,10V210 毫欧 @ 10A,10V219 毫欧 @ 7.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 200µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 10 V19 nC @ 10 V23 nC @ 10 V28.7 nC @ 10 V36 nC @ 10 V46 nC @ 10 V53 nC @ 10 V56 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
500 pF @ 30 V821 pF @ 30 V1100 pF @ 10 V1336 pF @ 25 V1750 pF @ 15 V1807 pF @ 25 V2014 pF @ 50 V2328 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
21W(Tc)29.7W34W47W65W(Tc)125W(Tj)151W(Tc)196W-
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-QFN(3x3)8-TSON Advance-WF(3.1x3.1)DFN3333DFN8080ADPAKPowerQFN 3x3TO-220ABTO-220FTO-252(DPAK)
封装/外壳
4-PowerVSFN8-PowerVDFN8-VDFN 裸露焊盘TO-220-3TO-220-3 整包TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MCG30N03A-TP
MCG20P03-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Micro Commercial Co
11,923
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.39305
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
20A
4.5V,10V
20 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
28.7 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 15 V
-
21W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
9,942
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.64313
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
20A
4.5V,10V
12 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 200µA
23 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 10 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-TSON Advance-WF(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
MBRD6100CT-TP
MCU20N10-TP
MOSFET N-CH 100V DPAK
Micro Commercial Co
19,568
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.56559
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
20A
4.5V,10V
48 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
2014 pF @ 50 V
-
47W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DI018C03PT
DI020P06PT
MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
Diotec Semiconductor
5,000
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.30178
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
-
-
20A
-
-
-
-
-
-
-
29.7W
-
-
-
表面贴装型
PowerQFN 3x3
-
DI018C03PT
DI020P06PT-AQ
MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A
Diotec Semiconductor
4,950
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.09408
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
-
-
20A
-
-
-
-
-
-
-
29.7W
-
-
-
表面贴装型
8-QFN(3x3)
8-PowerVDFN
N-CHANNEL MOSFET,TO-220F
MSJPF20N65A-BP
N-CHANNEL MOSFET,TO-220F
Micro Commercial Co
4,906
现货
1 : ¥27.50000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
20A
10V
180 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±30V
1807 pF @ 25 V
-
34W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
SIC1060PL8-TP
MSJL20N60A-TP
N-CHANNEL MOSFET,DFN8080A
Micro Commercial Co
6,000
现货
1 : ¥27.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥13.59438
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20A
10V
219 毫欧 @ 7.3A,10V
4V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±30V
1336 pF @ 25 V
-
196W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN8080A
4-PowerVSFN
0
现货
查看交期
10,000 : ¥1.67423
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
20A
4.5V,10V
37 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
821 pF @ 30 V
-
125W(Tj)
-55°C ~ 150°C
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MBRD6100CT-TP
MCU20N06B-TP
MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 20A 4.1N
Micro Commercial Co
0
现货
查看交期
2,500 : ¥1.67912
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
20A
10V
45 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 30 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
0
现货
查看交期
2,500 : ¥2.17887
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
20A
4.5V,10V
45 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
2014 pF @ 50 V
-
47W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
0
现货
查看交期
2,500 : ¥2.17887
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
20A
4.5V,10V
45 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
2014 pF @ 50 V
-
47W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
0
现货
停产
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
20A
10V
210 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±30V
2328 pF @ 50 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
MBRD6100CT-TP
MCU20N06-TP
MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 20A 4.1N
Micro Commercial Co
0
现货
停产
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
20A
10V
45 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 30 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 13

20A 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。