200A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 71
制造商
Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIHiPerFET™HiPerFET™, PolarLinear L2™OptiMOS™OptiMOS™-5PolarPowerTrench®STripFET™STripFET™ F7STripFET™ IIITrenchTrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
24 V40 V50 V55 V60 V70 V75 V80 V85 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V7V,10V10V10V,5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.96 毫欧 @ 20A,10V0.99 毫欧 @ 20A,10V1 毫欧 @ 100A,10V1 毫欧 @ 35A,10V1 毫欧 @ 80A,10V1.1 毫欧 @ 30A,10V1.1 毫欧 @ 90A,10V1.2 毫欧 @ 20A,10V1.3 毫欧 @ 100A,10V1.3 毫欧 @ 20A,10V1.3 毫欧 @ 80A,10V1.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.05V @ 1mA2.2V @ 1mA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3.4V @ 100µA3.5V @ 250µA3.6V @ 1mA3.8V @ 130µA3.9V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
70 nC @ 10 V78 nC @ 10 V79.5 nC @ 10 V80 nC @ 10 V90 nC @ 10 V92 nC @ 10 V93 nC @ 10 V100 nC @ 10 V109 nC @ 10 V110 nC @ 10 V111 nC @ 10 V113 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+20V,-16V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4300 pF @ 20 V5400 pF @ 25 V5768 pF @ 20 V5832 pF @ 20 V5950 pF @ 25 V6198 pF @ 20 V6297 pF @ 20 V6800 pF @ 25 V6968 pF @ 20 V6970 pF @ 25 V7055 pF @ 15 V7400 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
3.06W(Ta),150W(Tc)3.5W(Ta),250W(Tc)3.8W(Ta),110W(Tc)3.8W(Ta),250W(Tc)150W(Tc)156W(Tj)158W(Tc)167W(Tc)180W(Tc)194W(Tc)200W(Tc)208W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-HPSOF8-QFN(5x6)10-PowerSOD2PAKDFN5060-CH2PAKH2PAK-2H2PAK-6LFPAK56,Power-SO8PG-HSOF-5-1PG-HSOF-8-1
封装/外壳
5-PowerSFN8-PowerSFN8-PowerSMD,鸥翼8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线PowerPAK® 8 x 8PowerSO-10 裸露底部焊盘SC-100,SOT-669SOT-1023,4-LFPAKSOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-220-3(SMT)标片TO-247-3 变式TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
71结果
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/ 71
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6,435
现货
1 : ¥27.34000
剪切带(CT)
2,000 : ¥13.28975
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
200A(Tc)
6V,10V
2.3 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 130µA
110 nC @ 10 V
±20V
7670 pF @ 40 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
TO-264
IXTK200N10L2
MOSFET N-CH 100V 200A TO264
IXYS
238
现货
1 : ¥306.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
200A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 100A,10V
4.5V @ 3mA
540 nC @ 10 V
±20V
23000 pF @ 25 V
-
1040W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264(IXTK)
TO-264-3,TO-264AA
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
onsemi
5,540
现货
1 : ¥13.63000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.97761
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
200A(Tc)
4.5V,10V
1.5 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 20 V
-
3.8W(Ta),110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
4,044
现货
1 : ¥21.43000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.66019
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
200A(Tc)
7V,10V
1 毫欧 @ 100A,10V
3.4V @ 100µA
132 nC @ 10 V
±20V
7650 pF @ 25 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-HSOF-5-1
5-PowerSFN
TO-263
FDB0260N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
onsemi
1,253
现货
1 : ¥79.71000
剪切带(CT)
800 : ¥50.22253
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
200A(Tc)
10V
2.6 毫欧 @ 27A,10V
4V @ 250µA
118 nC @ 10 V
±20V
8545 pF @ 50 V
-
3.8W(Ta),250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN1R7-40YLDX
MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
8,499
现货
1 : ¥15.35000
剪切带(CT)
1,500 : ¥7.26872
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
200A(Tc)
4.5V,10V
1.8 毫欧 @ 25A,10V
2.05V @ 1mA
109 nC @ 10 V
±20V
7966 pF @ 20 V
肖特基二极管(体)
194W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO-263-7
SUM40014M-GE3
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Vishay Siliconix
6,150
现货
1 : ¥19.37000
剪切带(CT)
800 : ¥12.85584
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
200A(Tc)
-
0.99 毫欧 @ 20A,10V
2.4V @ 250µA
275 nC @ 10 V
±20V
15780 pF @ 20 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
510
现货
1 : ¥30.70000
剪切带(CT)
1,800 : ¥15.85303
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
200A(Tc)
6V,10V
2.3 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 130µA
110 nC @ 10 V
±20V
7670 pF @ 40 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD,鸥翼
SOT-1023
PSMN1R5-50YLHX
PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
Nexperia USA Inc.
2,731
现货
1 : ¥30.95000
剪切带(CT)
1,500 : ¥9.39204
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200A(Tc)
4.5V,10V
1.75 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 1mA
181 nC @ 10 V
±20V
11143 pF @ 25 V
-
333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SOT-1023,4-LFPAK
SOT-1023
PSMN2R0-55YLHX
PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS
Nexperia USA Inc.
19,234
现货
1 : ¥32.18000
剪切带(CT)
1,500 : ¥16.63712
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
200A(Tc)
4.5V,10V
2.1 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 1mA
184 nC @ 10 V
±20V
11353 pF @ 27 V
-
333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SOT-1023,4-LFPAK
8-PowerDFN
FDBL0260N100
MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
onsemi
3,940
现货
1 : ¥48.68000
剪切带(CT)
2,000 : ¥23.67978
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
200A(Tc)
10V
2.6 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
116 nC @ 10 V
±20V
9265 pF @ 50 V
-
3.5W(Ta),250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HPSOF
8-PowerSFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN1R9-40YSDX
MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
983
现货
1 : ¥14.86000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.70806
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
200A(Tc)
10V
1.9 毫欧 @ 25A,10V
3.6V @ 1mA
80 nC @ 10 V
±20V
6198 pF @ 20 V
肖特基二极管(体)
194W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
D2PAK
MCB200N06Y-TP
N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Micro Commercial Co
775
现货
1 : ¥16.01000
剪切带(CT)
800 : ¥8.95281
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200A(Tc)
4.5V,10V
2.6 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
93 nC @ 10 V
±20V
5950 pF @ 25 V
-
260W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PowerPAK 8 x 8
SQJQ100E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
3,805
现货
1 : ¥23.89000
剪切带(CT)
2,000 : ¥11.64792
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
200A(Tc)
10V
1.5 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
14780 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
TO-264
IXTK200N10P
MOSFET N-CH 100V 200A TO264
IXYS
300
现货
1 : ¥126.51000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
200A(Tc)
10V
7.5 毫欧 @ 100A,10V
5V @ 500µA
240 nC @ 10 V
±20V
7600 pF @ 25 V
-
800W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264(IXTK)
TO-264-3,TO-264AA
H2PAK-2
STH320N4F6-6
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
STMicroelectronics
1,000
现货
1 : ¥38.99000
剪切带(CT)
1,000 : ¥20.14910
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
200A(Tc)
10V
1.3 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
13800 pF @ 15 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK-6
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
H2PAK
STH410N4F7-2AG
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
STMicroelectronics
793
现货
1 : ¥50.16000
剪切带(CT)
1,000 : ¥25.91051
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
200A(Tc)
10V
1.1 毫欧 @ 90A,10V
4.5V @ 250µA
141 nC @ 10 V
±20V
11500 pF @ 25 V
-
365W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
GSFH06100
SSF8970
MOSFET, N-CH, SINGLE, 200A, 80V,
Good-Ark Semiconductor
980
现货
1 : ¥21.75000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
200A(Tc)
10V
2.6 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
360 nC @ 10 V
±20V
23000 pF @ 30 V
-
208W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
GSFA20106
GSFA10200
MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Good-Ark Semiconductor
276
现货
1 : ¥23.23000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
200A(Tc)
10V
2.7 毫欧 @ 60A,10V
3.9V @ 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
10430 pF @ 50 V
-
400W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
STH320N4F6-2
STH320N4F6-2
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK
STMicroelectronics
228
现货
1 : ¥39.57000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
200A(Tc)
10V
1.3 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
13800 pF @ 15 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),变体
PowerPAK 8 x 8
SQJQ466E-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
88
现货
1 : ¥22.17000
剪切带(CT)
2,000 : ¥10.79328
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
200A(Tc)
10V
1.9 毫欧 @ 10A,10V
3.5V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
10210 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
TO-263
FDB0300N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
onsemi
52
现货
1 : ¥50.49000
剪切带(CT)
800 : ¥30.48069
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
200A(Tc)
6V,10V
3 毫欧 @ 26A,10V
4V @ 250µA
113 nC @ 10 V
±20V
8295 pF @ 50 V
-
3.8W(Ta),250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-220-3
IXTP200N055T2
MOSFET N-CH 55V 200A TO220AB
IXYS
58
现货
1 : ¥32.10000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
200A(Tc)
10V
4.2 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
109 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 25 V
-
360W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
PowerPAK 8 x 8
SQJQ402E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
0
现货
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1 : ¥22.41000
剪切带(CT)
2,000 : ¥10.11675
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
200A(Tc)
4.5V,10V
1.7 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
13500 pF @ 20 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
TO-247 Plus X
IXTX200N10L2
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
IXYS
0
现货
查看交期
1 : ¥285.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
200A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 100A,10V
4.5V @ 3mA
540 nC @ 10 V
±20V
23000 pF @ 25 V
-
1040W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
显示
/ 71

200A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。