2.9A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SI3459BDV-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP Vishay Siliconix	24,307 现货	1 : ¥6.57000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.48122 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	2.9A（Tc）	4.5V，10V	216 毫欧 @ 2.2A，10V	3V @ 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 30 V	-	2W（Ta），3.3W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	6-TSOP	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SI3459BDV-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP Vishay Siliconix	6,505 现货	1 : ¥6.57000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.48122 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	2.9A（Tc）	4.5V，10V	216 毫欧 @ 2.2A，10V	3V @ 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	350 pF @ 30 V	-	3.3W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	6-TSOP	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
FDFMA3N109 MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET onsemi	0 现货	停产	PowerTrench®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	2.9A（Tc）	2.5V，4.5V	123 毫欧 @ 2.9A，4.5V	1.5V @ 250µA	3 nC @ 4.5 V	±12V	220 pF @ 15 V	肖特基二极管（隔离式）	1.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	6-MicroFET（2x2）	6-VDFN 裸露焊盘
NDD03N80Z-1G MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK onsemi	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	2.9A（Tc）	10V	4.5 欧姆 @ 1.2A，10V	4.5V @ 50µA	17 nC @ 10 V	±30V	440 pF @ 25 V	-	96W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	IPAK	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
NDD03N80ZT4G MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3 onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	2.9A（Tc）	10V	4.5 欧姆 @ 1.2A，10V	4.5V @ 50µA	17 nC @ 10 V	±30V	440 pF @ 25 V	-	96W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	DPAK-3	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SIHU2N80AE-GE3 MOSFET N-CH 800V 2.9A TO251AA Vishay Siliconix	0 现货查看交期	1 : ¥7.88000 管件	E	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	2.9A（Tc）	10V	2.9 欧姆 @ 500mA，10V	4V @ 250µA	10.5 nC @ 10 V	±30V	180 pF @ 100 V	-	62.5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-251AA	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
SIHD2N80AE-GE3 MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK Vishay Siliconix	0 现货查看交期	3,000 : ¥3.98386 管件	E	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	2.9A（Tc）	10V	2.9 欧姆 @ 500mA，10V	4V @ 250µA	10.5 nC @ 10 V	±30V	180 pF @ 100 V	-	62.5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FQPF5P10 MOSFET P-CH 100V 2.9A TO220F onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	2.9A（Tc）	10V	1.05 欧姆 @ 1.45A，10V	4V @ 250µA	8.2 nC @ 10 V	±30V	250 pF @ 25 V	-	23W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220F-3	TO-220-3 整包
PSMN165-200K,518 MOSFET N-CH 200V 2.9A 8SO Nexperia USA Inc.	0 现货	停产	TrenchMOS™	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	2.9A（Tc）	10V	165 毫欧 @ 2.5A，10V	4V @ 1mA	40 nC @ 10 V	±20V	1330 pF @ 25 V	-	3.5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）