2.1A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 29
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-FemtoFET™NexFET™PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V40 V55 V60 V80 V250 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V,10V5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
60 毫欧 @ 3.6A,4.5V70 毫欧 @ 2.1A,4.5V72 毫欧 @ 1A,4.5V75 毫欧 @ 1A,4.5V76 毫欧 @ 1A,4.5V85 毫欧 @ 2.48A,10V90 毫欧 @ 3.6A,4.5V100 毫欧 @ 2.4A,4.5V120 毫欧 @ 1.5A,10V123 毫欧 @ 2.1A,10V150 毫欧 @ 950mA,4.5V155 毫欧 @ 3A,10V160 毫欧 @ 2.1A,4.5V175 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 50µA1.4V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.7 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 4.5 V3.3 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 10 V3.6 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 4.5 V6 nC @ 4.5 V7.4 nC @ 10 V8 nC @ 8 V8.7 nC @ 4.5 V9.7 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V19 nC @ 8 V20 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±5V8V±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
38 pF @ 10 V170 pF @ 20 V200 pF @ 6 V245 pF @ 10 V275 pF @ 30 V278 pF @ 10 V300 pF @ 10 V300 pF @ 25 V320 pF @ 16 V350 pF @ 25 V370 pF @ 10 V400 pF @ 10 V458 pF @ 10 V500 pF @ 24 V
功率耗散(最大值)
340mW(Ta),2.1W(Tc)460mW(Ta),5W(Tc)470mW(Ta)500mW(Ta)513mW(Ta),6.4W(Tc)600mW(Ta)625mW(Ta)700mW(Ta)710mW(Ta)850mW(Ta)1.25W(Ta)1.56W(Ta)1.6W(Ta)1.8W(Ta),14W(Tc)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
3-PICOSTAR4-Microfoot8-MSOP8-SOICSOT-223-3SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)SOT-323SOT-563SuperSOT™-6TO-236ABX2-DFN1006-3
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式3-XFDFN4-XFBGA4-XFBGA,CSPBGA8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)SC-70,SOT-323SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-563,SOT-666TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
29结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 29
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3422
MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,158,186
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86940
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
2.1A(Ta)
2.5V,4.5V
160 毫欧 @ 2.1A,4.5V
2V @ 250µA
3.3 nC @ 4.5 V
±12V
300 pF @ 25 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
CSDxxxxF4T
CSD13381F4
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Texas Instruments
468,115
现货
1 : ¥2.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.43986
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.1A(Ta)
1.8V,4.5V
180 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.1V @ 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
8V
200 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
TO-236AB
NXV65UPR
NXV65UP/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
49,785
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.62733
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.1A(Ta)
1.8V,4.5V
70 毫欧 @ 2.1A,4.5V
1V @ 250µA
8.7 nC @ 4.5 V
±8V
458 pF @ 10 V
-
340mW(Ta),2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV120ENEAR
MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
2,427
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.92519
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.1A(Ta)
4.5V,10V
123 毫欧 @ 2.1A,10V
2.7V @ 250µA
7.4 nC @ 10 V
±20V
275 pF @ 30 V
-
513mW(Ta),6.4W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV130ENEAR
MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
15,303
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.78511
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
2.1A(Ta)
4.5V,10V
120 毫欧 @ 1.5A,10V
2.5V @ 250µA
3.6 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 20 V
-
460mW(Ta),5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMN2B01FTA
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Diodes Incorporated
168,020
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.02253
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.1A(Ta)
1.8V,4.5V
100 毫欧 @ 2.4A,4.5V
1V @ 250µA
4.8 nC @ 4.5 V
±8V
370 pF @ 10 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-3
DMP6250SE-13
MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
Diodes Incorporated
5,987
现货
15,000
工厂
1 : ¥5.83000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.21419
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.1A(Ta)
4.5V,10V
250 毫欧 @ 1A,10V
3V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
551 pF @ 30 V
-
1.8W(Ta),14W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-3
ZVN4306GTA
MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Diodes Incorporated
2,610
现货
1 : ¥11.49000
剪切带(CT)
1,000 : ¥5.04949
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.1A(Ta)
5V,10V
330 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 1mA
-
±20V
350 pF @ 25 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
8-SOIC
SI4434DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Vishay Siliconix
17,002
现货
1 : ¥23.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.67031
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
2.1A(Ta)
6V,10V
155 毫欧 @ 3A,10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4434DY-T1-E3
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Vishay Siliconix
9,878
现货
1 : ¥23.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.67031
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
2.1A(Ta)
6V,10V
155 毫欧 @ 3A,10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SI8824EDB-T2-E1
SI8824EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Vishay Siliconix
28,938
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.90574
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.1A(Ta)
1.2V,4.5V
75 毫欧 @ 1A,4.5V
800mV @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±5V
400 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-Microfoot
4-XFBGA,CSPBGA
SOT 563
DMP2104V-7
MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563
Diodes Incorporated
15,539
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.95373
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.1A(Ta)
1.8V,4.5V
150 毫欧 @ 950mA,4.5V
1V @ 250µA
-
±12V
320 pF @ 16 V
-
850mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-563
SOT-563,SOT-666
CSDxxxxF4T
CSD13381F4T
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Texas Instruments
5,374
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
250 : ¥4.33616
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.1A(Ta)
1.8V,4.5V
180 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.1V @ 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
8V
200 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
SOT-223-3
ZVN4306GVTA
MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Diodes Incorporated
1,465
现货
1,000
工厂
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
1,000 : ¥6.14297
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.1A(Ta)
5V,10V
330 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 1mA
-
±20V
350 pF @ 25 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
8 MSOP
NTTS2P03R2
MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8
onsemi
0
现货
4,000 : ¥2.82946
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.1A(Ta)
4.5V,10V
85 毫欧 @ 2.48A,10V
3V @ 250µA
22 nC @ 4.5 V
±20V
500 pF @ 24 V
-
600mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MSOP
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
4-XFBGA
SI8817DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.25480
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.1A(Ta)
1.5V,4.5V
76 毫欧 @ 1A,4.5V
1V @ 250µA
19 nC @ 8 V
±8V
615 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-Microfoot
4-XFBGA
4-XFBGA
SI8810EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Vishay Siliconix
2
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.03810
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.1A(Ta)
1.5V,4.5V
72 毫欧 @ 1A,4.5V
900mV @ 250µA
8 nC @ 8 V
±8V
245 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-Microfoot
4-XFBGA
X2-DFN1006-3
DMN2310UFB4-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.35239
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.1A(Ta)
1.5V,4.5V
175 毫欧 @ 1A,4.5V
950mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
38 pF @ 10 V
-
710mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
DMN2046UW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.42763
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.1A(Ta)
2.5V,4.5V
90 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1.4V @ 250µA
3.6 nC @ 4.5 V
±12V
278 pF @ 10 V
-
470mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
DMN2046UW-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
81,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥0.57855
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.1A(Ta)
2.5V,4.5V
90 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1.4V @ 250µA
3.6 nC @ 4.5 V
±12V
278 pF @ 10 V
-
470mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
8 MSOP
NTTS2P03R2G
MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
2.1A(Ta)
4.5V,10V
85 毫欧 @ 2.48A,10V
3V @ 250µA
22 nC @ 4.5 V
±20V
500 pF @ 24 V
-
600mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-MSOP
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
SOT-223-3
ZVN4306GTC
MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.1A(Ta)
5V,10V
330 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 1mA
-
±20V
350 pF @ 25 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-3
ZVN4306GVTC
MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.1A(Ta)
5V,10V
330 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 1mA
-
±20V
350 pF @ 25 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
SOT-23-3
SI2302ADS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.1A(Ta)
2.5V,4.5V
60 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1.2V @ 50µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
300 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2302ADS-T1
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.1A(Ta)
2.5V,4.5V
60 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1.2V @ 50µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
300 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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2.1A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。