194A（Ta） 单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-220-3TO-263（DDPAK-3）
封装/外壳
TO-220-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
CSD18511KCS
MOSFET N-CH 40V 194A TO220-3
Texas Instruments
800
现货
1 : ¥13.38000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
194A（Ta）
4.5V，10V
2.6 毫欧 @ 100A，10V
2.4V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
5940 pF @ 20 V
-
188W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
CSD18511KTT
CSD18511KTT
MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK
Texas Instruments
342
现货
1 : ¥13.79000
剪切带（CT）
500 : ¥7.08664
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
194A（Ta）
4.5V，10V
2.6 毫欧 @ 100A，10V
2.4V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
5940 pF @ 20 V
-
188W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（DDPAK-3）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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194A（Ta） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。