190A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 17
制造商
Goford SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.NXP USA Inc.Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V75 V100 V150 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V8V,10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.3 毫欧 @ 90A,5V2 毫欧 @ 25A,10V3.5 毫欧 @ 20A,10V3.5 毫欧 @ 30A,10V3.9 毫欧 @ 110A,10V3.9 毫欧 @ 50A,10V4 毫欧 @ 110A,10V4.2 毫欧 @ 90A,10V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA3.6V @ 1mA4V @ 250µA4.6V @ 257µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
68 nC @ 10 V70 nC @ 10 V98 nC @ 10 V140 nC @ 4.5 V160 nC @ 10 V230 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+16V,-10V±16V+20V,-10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
5075 pF @ 25 V6057 pF @ 50 V6188 pF @ 50 V6516 pF @ 50 V7700 pF @ 75 V8600 pF @ 30 V9830 pF @ 50 V11490 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
183W(Tc)250W(Tc)277W(Tc)319W(Tc)370W(Tc)380W(Tc)395W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-
安装类型
-表面贴装型通孔
供应商器件封装
-D2PAKD2PAK-7D2PAK(7-Lead)LFPAK88(SOT1235)PG-HSOF-8TO-220TO-247TO-263
封装/外壳
8-PowerSFN-SOT-1235TO-220-3TO-247-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
17结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 17
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
D2PAK SOT427
IRFS4010TRL7PP
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Infineon Technologies
1,576
现货
1 : ¥40.80000
剪切带(CT)
800 : ¥24.65303
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190A(Tc)
10V
4 毫欧 @ 110A,10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
9830 pF @ 50 V
-
380W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
D2PAK SOT427
IRLS4030TRL7PP
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Infineon Technologies
2,788
现货
1 : ¥40.06000
剪切带(CT)
800 : ¥24.16741
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190A(Tc)
4.5V,10V
3.9 毫欧 @ 110A,10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 4.5 V
±16V
11490 pF @ 50 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
PSMN1R9-80SSEJ
BUK7S2R0-40HJ
BUK7S2R0-40H/SOT1235/LFPAK88
Nexperia USA Inc.
5,444
现货
1 : ¥14.45000
剪切带(CT)
2,000 : ¥8.61237
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
190A(Tc)
10V
2 毫欧 @ 25A,10V
3.6V @ 1mA
70 nC @ 10 V
+20V,-10V
5075 pF @ 25 V
-
183W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK88(SOT1235)
SOT-1235
4,000
现货
1 : ¥23.73000
管件
-
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
190A(Tc)
10V
4.2 毫欧 @ 90A,10V
4V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
8600 pF @ 30 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
BUK7Y1R4-40H/SOT669/LFPAK
BUK7Y1R4-40HX
BUK7Y1R4-40H/SOT669/LFPAK
Nexperia USA Inc.
455
现货
1 : ¥25.53000
剪切带(CT)
1,500 : ¥11.44506
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
-
-
190A(Tc)
-
-
-
-
+20V,-10V
-
-
395W(Tc)
-
汽车级
AEC-Q101
-
-
-
BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK
BUK9Y1R3-40HX
BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK
Nexperia USA Inc.
360
现货
1 : ¥25.70000
剪切带(CT)
1,500 : ¥11.52404
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
-
-
190A(Tc)
-
-
-
-
+16V,-10V
-
-
395W(Tc)
-
汽车级
AEC-Q101
-
-
-
G75P04TI
GT035N10T
N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4
Goford Semiconductor
58
现货
1 : ¥22.25000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190A(Tc)
10V
3.5 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
6057 pF @ 50 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
GC11N65M
GT035N10M
N100V, 190A,RD<3.5M@10V,VTH2V~4V
Goford Semiconductor
100
现货
1 : ¥22.50000
剪切带(CT)
800 : ¥12.58718
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190A(Tc)
10V
3.5 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
6188 pF @ 50 V
-
277W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
GT035N10Q
GT035N10Q
MOSFET N-CH 100V 190A TO-247
Goford Semiconductor
54
现货
1 : ¥27.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190A(Tc)
10V
3.5 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
6516 pF @ 50 V
-
277W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
TO-263-7 DPak (6 LeadsTab)
AUIRFS4010-7TRL
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
800 : ¥33.73428
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190A(Tc)
-
4 毫欧 @ 110A,10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
-
9830 pF @ 50 V
-
380W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
D2PAK SOT427
IRFS4010-7PPBF
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190A(Tc)
10V
4 毫欧 @ 110A,10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
9830 pF @ 50 V
-
380W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
D2PAK SOT427
IRLS4030-7PPBF
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190A(Tc)
4.5V,10V
3.9 毫欧 @ 110A,10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 4.5 V
±16V
11490 pF @ 50 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
TO-263-7 DPak (6 LeadsTab)
AUIRLS4030-7TRL
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190A(Tc)
4.5V,10V
3.9 毫欧 @ 110A,10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 4.5 V
±16V
11490 pF @ 50 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-263-7 DPak (6 LeadsTab)
AUIRFS4010-7P
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190A(Tc)
10V
4 毫欧 @ 110A,10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
9830 pF @ 50 V
-
380W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
AUIRLS4030-7P
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190A(Tc)
4.5V,10V
3.9 毫欧 @ 110A,10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 4.5 V
±16V
11490 pF @ 50 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
D2PAK SOT427
BUK9C1R3-40EJ
MOSFET N-CH 40V 190A D2PAK-7
NXP USA Inc.
0
现货
在售
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
190A(Tc)
-
1.3 毫欧 @ 90A,5V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
0
现货
Digi-Key 停止提供
卷带(TR)
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
190A(Tc)
8V,10V
3.9 毫欧 @ 50A,10V
4.6V @ 257µA
98 nC @ 10 V
±20V
7700 pF @ 75 V
-
319W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8
8-PowerSFN
显示
/ 17

190A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。