180A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 170
制造商
Goford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.Renesas Electronics CorporationRohm SemiconductorSTMicroelectronicsVishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIDeepGATE™, STripFET™ VIIHEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, TrenchHiPerFET™, TrenchT2™HiPerFET™, Ultra X3MegaMOS™OptiMOS®-P2OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V24 V30 V40 V55 V60 V70 V75 V80 V85 V100 V120 V150 V200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V,10V6V,10V7V,10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.95 毫欧 @ 100A,10V0.98 毫欧 @ 100A,10V1 毫欧 @ 100A,10V1.05 毫欧 @ 100A,10V1.05 毫欧 @ 90A,10V1.1 毫欧 @ 100A,10V1.15 毫欧 @ 60A,10V1.2 毫欧 @ 100A,10V1.2 毫欧 @ 80A,10V1.2毫欧 @ 90A,10V1.25 毫欧 @ 60A,10V1.25 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 200µA2.05V @ 1mA2.2V @ 140µA2.2V @ 180µA2.2V @ 196µA2.2V @ 200µA2.2V @ 250µA2.2V @ 410µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
56 nC @ 10 V63 nC @ 10 V69 nC @ 10 V79 nC @ 4.5 V87 nC @ 10 V92 nC @ 10 V93 nC @ 10 V100 nC @ 10 V107 nC @ 4.5 V109 nC @ 10 V114.6 nC @ 10 V115 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+5V,-16V±8V±16V+20V,-16V±20V+22V,-4V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
840 pF @ 50 V4340 pF @ 25 V4380 pF @ 25 V4430 pF @ 25 V5090 pF @ 10 V5130 pF @ 20 V5173 pF @ 20 V5800 pF @ 25 V6158 pF @ 25 V6416 pF @ 20 V6581 pF @ 20 V6665 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta),288W(Tc)1.8W(Ta),348W(Tc)115W(Tj)125W(Tc)150W(Tc)166W(Tc)188W(Tc)192W(Tc)200W(Tc)208W(Tc)210W(Tc)220W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKD2PAK(7-Lead)DFN5060H2PAKH2PAK-2H2PAK-6ISOPLUS247™ISOTOP®LFPAK56,Power-SO8PG-HSOF-5-2PG-TO263-3PG-TO263-7
封装/外壳
5-PowerSFN8-PowerTDFNISOTOPSC-100,SOT-669SOT-227-4,miniBLOCSP6TO-220-3TO-247-3 变式TO-247-3TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),变体TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片),TO-263CB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
170结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 170
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-7, D2Pak
IPB011N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Infineon Technologies
3,168
现货
1 : ¥27.34000
剪切带(CT)
1,000 : ¥14.14003
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
180A(Tc)
10V
1.1 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 200µA
250 nC @ 10 V
±20V
20000 pF @ 20 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4010TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Infineon Technologies
29,929
现货
1 : ¥30.05000
剪切带(CT)
800 : ¥18.12439
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
4.7 毫欧 @ 106A,10V
4V @ 250µA
215 nC @ 10 V
±20V
9575 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-7, D2Pak
IPB180P04P4L02ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Infineon Technologies
1,111
现货
1 : ¥32.84000
剪切带(CT)
1,000 : ¥16.98555
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
180A(Tc)
4.5V,10V
2.4 毫欧 @ 100A,10V
2.2V @ 410µA
286 nC @ 10 V
+5V,-16V
18700 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRLS4030TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Infineon Technologies
1,647
现货
1 : ¥34.32000
剪切带(CT)
800 : ¥20.70079
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
4.5V,10V
4.3 毫欧 @ 110A,10V
2.5V @ 250µA
130 nC @ 4.5 V
±16V
11360 pF @ 50 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
H2PAK-2
STH315N10F7-6
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
STMicroelectronics
2,730
现货
1 : ¥45.32000
剪切带(CT)
1,000 : ¥23.42849
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
2.3 毫欧 @ 60A,10V
4.5V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
12800 pF @ 25 V
-
315W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK-6
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
H2PAK
STH275N8F7-2AG
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
STMicroelectronics
1,485
现货
1 : ¥46.05000
剪切带(CT)
1,000 : ¥23.80793
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
180A(Tc)
10V
2.1 毫欧 @ 90A,10V
4.5V @ 250µA
193 nC @ 10 V
±20V
13600 pF @ 50 V
-
315W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
H2PAK
STH310N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
STMicroelectronics
7,197
现货
1 : ¥47.29000
剪切带(CT)
1,000 : ¥24.44399
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
2.5 毫欧 @ 60A,10V
3.8V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
12800 pF @ 25 V
-
315W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA180N10T-TRL
MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Littelfuse Inc.
788
现货
1 : ¥48.44000
剪切带(CT)
800 : ¥29.23359
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
6.4 毫欧 @ 25A,10V
4.5V @ 250µA
151 nC @ 10 V
±20V
6900 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-7, D2Pak
IPB180N10S402ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
1,179
现货
1 : ¥49.83000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.27242
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
2.5 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 275µA
200 nC @ 10 V
±20V
14600 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-263-7, D2Pak
IPB019N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Infineon Technologies
7,622
现货
1 : ¥50.32000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.54554
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
180A(Tc)
6V,10V
1.9 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 270µA
206 nC @ 10 V
±20V
14200 pF @ 40 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-263-7, D2Pak
IPB025N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
5,446
现货
1 : ¥54.26000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.07334
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
6V,10V
2.5 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 275µA
206 nC @ 10 V
±20V
14800 pF @ 50 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-263-7, D2Pak
IPB015N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Infineon Technologies
982
现货
1 : ¥56.97000
剪切带(CT)
1,000 : ¥32.33112
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
180A(Tc)
6V,10V
1.5 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 279µA
222 nC @ 10 V
±20V
16900 pF @ 40 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-263-7, D2Pak
IPB017N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
3,003
现货
1 : ¥59.76000
剪切带(CT)
1,000 : ¥33.88819
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
6V,10V
1.7 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 279µA
210 nC @ 10 V
±20V
15600 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-263-7, D2Pak
IPB017N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Infineon Technologies
8,402
现货
1 : ¥71.34000
剪切带(CT)
1,000 : ¥40.46987
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
1.7 毫欧 @ 100A,10V
4.1V @ 270µA
195 nC @ 10 V
±20V
840 pF @ 50 V
-
313W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-220AB PKG
IRF1404ZPBF
MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Infineon Technologies
2,992
现货
1 : ¥14.69000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
180A(Tc)
10V
3.7 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF1404ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Infineon Technologies
4,436
现货
1 : ¥17.40000
剪切带(CT)
800 : ¥9.71894
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
180A(Tc)
10V
3.7 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 150µA
150 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-7, D2Pak
IPB016N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Infineon Technologies
9,368
现货
1 : ¥31.69000
剪切带(CT)
1,000 : ¥16.38118
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
180A(Tc)
4.5V,10V
1.6 毫欧 @ 100A,10V
2.2V @ 196µA
166 nC @ 4.5 V
±20V
28000 pF @ 30 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-263-7, D2Pak
IPB180P04P403ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Infineon Technologies
1,815
现货
1 : ¥32.84000
剪切带(CT)
1,000 : ¥16.98555
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
180A(Tc)
-
2.8 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 410µA
250 nC @ 10 V
±20V
17640 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-220AB PKG
IRLB4030PBF
MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Infineon Technologies
13,564
现货
1 : ¥35.71000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
4.5V,10V
4.3 毫欧 @ 110A,10V
2.5V @ 250µA
130 nC @ 4.5 V
±16V
11360 pF @ 50 V
-
370W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-7, D2Pak
IPB011N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Infineon Technologies
2,443
现货
1 : ¥43.18000
剪切带(CT)
1,000 : ¥22.31416
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
180A(Tc)
4.5V,10V
1.1 毫欧 @ 100A,10V
2V @ 200µA
346 nC @ 10 V
±20V
29000 pF @ 20 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-220-3
IXTP180N10T
MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Littelfuse Inc.
3,165
现货
1 : ¥52.29000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
6.4 毫欧 @ 25A,10V
4.5V @ 250µA
151 nC @ 10 V
±30V
6900 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-247 Plus X
IXFX180N25T
MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
574
现货
1 : ¥157.62000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
180A(Tc)
10V
12.9 毫欧 @ 60A,10V
5V @ 8mA
345 nC @ 10 V
±20V
28000 pF @ 25 V
-
1390W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN2R0-40YLDX
MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,215
现货
1 : ¥14.45000
剪切带(CT)
1,500 : ¥6.85174
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
180A(Tc)
4.5V,10V
2.1 毫欧 @ 25A,10V
2.05V @ 1mA
92 nC @ 10 V
±20V
6581 pF @ 20 V
肖特基二极管(体)
166W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
IST011N06NM5AUMA1
IAUA180N04S5N012AUMA1
MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1
Infineon Technologies
2,950
现货
1 : ¥19.37000
剪切带(CT)
2,000 : ¥8.73389
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
180A(Tc)
7V,10V
1.2毫欧 @ 90A,10V
3.4V @ 70µA
100 nC @ 10 V
±20V
6158 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-5-2
5-PowerSFN
TO-220-3
STP240N10F7
MOSFET N-CH 100V 180A TO220
STMicroelectronics
9,778
现货
1 : ¥23.31000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
3.2 毫欧 @ 60A,10V
4.5V @ 250µA
176 nC @ 10 V
±20V
12600 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
/ 170

180A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。