17A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 265
制造商
Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiQorvoRenesas Electronics Corporation
系列
-C3M™CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ G7CoolMOS™ P7CoolSiC™CoolSIC™ M1DeepGATE™, STripFET™ VIFDmesh™ IIHEXFET®HiPerFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V55 V60 V100 V150 V200 V250 V500 V550 V600 V650 V750 V800 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4V,5V4.5V,10V5V5V,10V6V6V,10V8V10V10V,12V10V,15V12V15V15V,20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.2 毫欧 @ 44A,10V4.5 毫欧 @ 8.5A,10V5.5 毫欧 @ 8.5A,10V5.7 毫欧 @ 8.5A,10V8.5 毫欧 @ 10A,10V9.5 毫欧 @ 10A,10V11.4 毫欧 @ 8.5A,10V12.6 毫欧 @ 10A,10V15.5 毫欧 @ 17A,10V16 毫欧 @ 8.5A,10V27.4 毫欧 @ 10A,10V32 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 17.2mA2.5V @ 1mA2.5V @ 200µA2.5V @ 250µA2.6V @ 500µA3V @ 250µA3.5V @ 360µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.4 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 6 V6 nC @ 5 V6.5 nC @ 5 V7.8 nC @ 10 V9 nC @ 10 V9.3 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V10 nC @ 18 V11.9 nC @ 10 V12 nC @ 18 V12.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
+7V,-1.4V±10V+15V,-4V±16V±18V+20V,-25V+20V,-5V±20V+22V,-4V+23V,-5V+25V,-15V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
125 pF @ 400 V293 pF @ 25 V320 pF @ 25 V320 pF @ 400 V350 pF @ 800 V351 pF @ 500 V370 pF @ 25 V398 pF @ 800 V400 pF @ 25 V480 pF @ 25 V494 pF @ 25 V500 pF @ 25 V
FET 功能
-电流检测
功率耗散(最大值)
700mW(Ta),30W(Tc)700mW(Ta),42W(Tc)1.3W(Ta)1.5W(Ta)1.6W(Ta),34W(Tc)2W(Ta),50W(Tc)2.5W(Ta),4.4W(Tc)2.5W(Ta),5W(Tc)2.7W(Tc)3W(Ta),125W(Tc)3W(Ta),136W(Tc)3W(Ta),140W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
3-PQFN(8x8)4-PQFN(8x8)8-HWSON(3.3x3.3)8-PQFN(5x6)8-SOIC8-SOP Advance(5x5)8-TSON Advance(3.1x3.1)D2PAKD2PAK-7D3PAKDFN5060-5DFN8080-8
封装/外壳
3-PowerDFN4-PowerDFN4-PowerTSFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-VDFN 裸露焊盘22-PowerBSOP 模块SC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
265结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 265
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRFR024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Infineon Technologies
163,581
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.40739
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
17A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN069-100YS,115
MOSFET N-CH 100V 17A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
25,329
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.25927
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Tc)
10V
72.4 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 1mA
14 nC @ 10 V
±20V
645 pF @ 50 V
-
56W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
33,906
现货
1 : ¥6.16000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.33873
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
17A(Tc)
4.5V,10V
11.4 毫欧 @ 8.5A,10V
2.5V @ 200µA
23 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 30 V
-
1.6W(Ta),34W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
TO252-3
IRLR024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Infineon Technologies
66,777
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.82976
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
17A(Tc)
4V,10V
65 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 250µA
15 nC @ 5 V
±16V
480 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB PKG
IRF530NPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Infineon Technologies
41,278
现货
1 : ¥7.47000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Tc)
10V
90 毫欧 @ 9A,10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO252-3
IRLR3410TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Infineon Technologies
50,146
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.60700
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Tc)
4V,10V
105 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 250µA
34 nC @ 5 V
±16V
800 pF @ 25 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRLR3410TRPBF
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Infineon Technologies
42,268
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.61290
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Tc)
4V,10V
105 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 250µA
34 nC @ 5 V
±16V
800 pF @ 25 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Infineon Technologies
5,406
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
800 : ¥5.57148
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Tc)
10V
90 毫欧 @ 9A,10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),70W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Infineon Technologies
5,704
现货
1 : ¥11.74000
剪切带(CT)
800 : ¥6.32418
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Tc)
4V,10V
100 毫欧 @ 9A,10V
2V @ 250µA
34 nC @ 5 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
MFG_DPAK(TO252-3)
STD17NF25
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
STMicroelectronics
15,943
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.31824
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
17A(Tc)
10V
165 毫欧 @ 8.5A,10V
4V @ 250µA
29.5 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 25 V
-
90W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD18NF25
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
STMicroelectronics
4,952
现货
1 : ¥17.49000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.87040
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
17A(Tc)
10V
165 毫欧 @ 8.5A,10V
4V @ 250µA
29.5 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IRL640STRLPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Vishay Siliconix
5,476
现货
1 : ¥18.14000
剪切带(CT)
800 : ¥10.14029
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
17A(Tc)
4V,5V
180 毫欧 @ 10A,5V
2V @ 250µA
66 nC @ 5 V
±10V
1800 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IRL640SPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Vishay Siliconix
3,803
现货
1 : ¥18.14000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
17A(Tc)
4V,5V
180 毫欧 @ 10A,5V
2V @ 250µA
66 nC @ 5 V
±10V
1800 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB17N25S3100ATMA1
MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Infineon Technologies
740
现货
1 : ¥18.55000
剪切带(CT)
1,000 : ¥8.81282
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
17A(Tc)
10V
100 毫欧 @ 17A,10V
4V @ 54µA
19 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 25 V
-
107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO252-3
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Infineon Technologies
8,537
现货
1 : ¥23.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥11.35803
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
17A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 7.2A,10V
3.5V @ 360µA
36 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 500 V
-
101W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
SPP17N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Infineon Technologies
928
现货
1 : ¥36.94000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
17A(Tc)
10V
290 毫欧 @ 11A,10V
3.9V @ 1mA
177 nC @ 10 V
±20V
2320 pF @ 25 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-247N
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Rohm Semiconductor
2,050
现货
1 : ¥82.83000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
17A(Tc)
18V
208 毫欧 @ 5A,18V
5.6V @ 2.5mA
42 nC @ 18 V
+22V,-4V
398 pF @ 800 V
-
103W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-252-2
DMN10H099SK3-13
MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Diodes Incorporated
2,539
现货
42,500
工厂
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.93534
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Tc)
6V,10V
80 毫欧 @ 3.3A,10V
3V @ 250µA
25.2 nC @ 10 V
±20V
1172 pF @ 50 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB PKG
IRFZ24NPBF
MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Infineon Technologies
8,984
现货
1 : ¥5.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
17A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
370 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD17NF03LT4
MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
STMicroelectronics
4,309
现货
1 : ¥6.32000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.39969
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Tc)
5V,10V
50 毫欧 @ 8.5A,10V
2.2V @ 250µA
6.5 nC @ 5 V
±16V
320 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8,890
现货
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.65651
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Tc)
10V
16 毫欧 @ 8.5A,10V
4V @ 200µA
19 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 50 V
-
700mW(Ta),42W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
TO252-3
IPD14N06S280ATMA2
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Infineon Technologies
4,144
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.61120
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
17A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 7A,10V
4V @ 14µA
10 nC @ 10 V
±20V
293 pF @ 25 V
-
47W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD18NF03L
MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
STMicroelectronics
7,167
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.92565
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Tc)
5V,10V
50 毫欧 @ 8.5A,10V
2.2V @ 250µA
6.5 nC @ 5 V
±16V
320 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
SI4174DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Vishay Siliconix
14,384
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.71752
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
17A(Tc)
4.5V,10V
9.5 毫欧 @ 10A,10V
2.2V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
985 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IPAK (TO-251)
IRLU3410PBF
MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Infineon Technologies
4,991
现货
1 : ¥8.70000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Tc)
4V,10V
105 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 250µA
34 nC @ 5 V
±16V
800 pF @ 25 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK(TO-251AA)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
显示
/ 265

17A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。