17A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesPanjit International Inc.Texas Instruments
系列
-AlphaSGT™HEXFET®NexFET™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
40 V60 V75 V100 V150 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.8 毫欧 @ 20A,10V3.8 毫欧 @ 20A,10V4.6 毫欧 @ 50A,10V5.9 毫欧 @ 18A,10V5.9 毫欧 @ 50A,10V9.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA3.5V @ 120µA4V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
36 nC @ 10 V50 nC @ 4.5 V63 nC @ 10 V65 nC @ 10 V98 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2750 pF @ 30 V3200 pF @ 75 V4290 pF @ 25 V4500 pF @ 50 V5214 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
2W(Ta),70W(Tc)2.4W(Ta),83.3W(Tc)3.2W(Ta),116W(Tc)3.6W(Ta),156W(Tc)6.2W(Ta),215W(Tc)156W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
8-DFN(5x6)8-PQFN(5x6)8-VSONP(5x6)DFN5060-8PG-TDSON-8-7TO-252
封装/外壳
8-PowerSMD,扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD18533Q5A
MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
Texas Instruments
5,543
现货
1 : ¥11.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.92356
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
17A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
5.9 毫欧 @ 18A,10V
2.3V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
2750 pF @ 30 V
-
3.2W(Ta),116W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18533Q5AT
MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
Texas Instruments
802
现货
1 : ¥12.81000
剪切带(CT)
250 : ¥8.22400
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
17A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
5.9 毫欧 @ 18A,10V
2.3V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
2750 pF @ 30 V
-
3.2W(Ta),116W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
2,825
现货
1 : ¥24.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥12.50613
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
17A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
9.5 毫欧 @ 20A,10V
2.6V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 75 V
-
6.2W(Ta),215W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(5x6)
8-PowerSMD,扁平引线
DFN5060-8
PJQ5440_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
2,914
现货
1 : ¥9.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.69444
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
17A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.8 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
5214 pF @ 25 V
-
2W(Ta),70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN5060-8
8-PowerVDFN
DFN5060-8
PJQ5440-AU_R2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
4,988
现货
1 : ¥14.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.87406
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
17A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.8 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
5214 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta),83.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN5060-8
8-PowerVDFN
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PJD100N04_L2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.52742
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
17A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
3.8 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
5214 pF @ 25 V
-
2W(Ta),70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PJD100N04-AU_L2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.48781
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
17A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
3.8 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
5214 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta),83.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IRFH5250TR2PBF
IRFH5007TRPBF
MOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFN
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
17A(Ta),100A(Tc)
10V
5.9 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 150µA
98 nC @ 10 V
±20V
4290 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
IRFH5250TR2PBF
IRFH5007TR2PBF
MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥17.49000
剪切带(CT)
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
17A(Ta),100A(Tc)
-
5.9 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 150µA
98 nC @ 10 V
-
4290 pF @ 25 V
-
-
-
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC046N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
17A(Ta),100A(Tc)
6V,10V
4.6 毫欧 @ 50A,10V
3.5V @ 120µA
63 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 50 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
显示
/ 10

17A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。