15A（Ta），60A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

PJQ4404P-AU_R2_000A1 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Panjit International Inc.	3,032 现货	1 : ¥5.09000 剪切带（CT） 5,000 : ¥1.62977 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	15A（Ta），60A（Tc）	4.5V，10V	6 毫欧 @ 10A，10V	2.5V @ 250µA	12 nC @ 4.5 V	±20V	1323 pF @ 25 V	-	2W（Ta），31W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	DFN3333-8	8-PowerVDFN
CSD17552Q3A MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON Texas Instruments	7,037 现货	1 : ¥7.63000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.15768 卷带（TR）	NexFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	15A（Ta），60A（Tc）	4.5V，10V	6 毫欧 @ 11A，10V	1.9V @ 250µA	12 nC @ 4.5 V	±20V	2050 pF @ 15 V	-	2.6W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-VSONP（3x3.3）	8-PowerVDFN
CSD16409Q3 MOSFET N-CH 25V 15A/60A 8VSON Texas Instruments	6,358 现货	1 : ¥7.63000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.15768 卷带（TR）	NexFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	15A（Ta），60A（Tc）	4.5V，10V	8.2 毫欧 @ 17A，10V	2.3V @ 250µA	5.6 nC @ 4.5 V	+16V，-12V	800 pF @ 12.5 V	-	2.6W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-VSONP（5x6）	8-PowerTDFN
PJQ4404P_R2_00001 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Panjit International Inc.	0 现货查看交期	1 : ¥4.68000 剪切带（CT） 5,000 : ¥1.48351 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	15A（Ta），60A（Tc）	4.5V，10V	6 毫欧 @ 10A，10V	2.5V @ 250µA	12 nC @ 4.5 V	±20V	1323 pF @ 25 V	-	2W（Ta），31W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DFN3333-8	8-PowerVDFN
BSF050N03LQ3GXUMA1 MOSFET N-CH 30V 15A/60A 2WDSON Infineon Technologies	0 现货	停产	OptiMOS™	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	15A（Ta），60A（Tc）	4.5V，10V	5 毫欧 @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	42 nC @ 10 V	±20V	3000 pF @ 15 V	-	2.2W（Ta），28W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	MG-WDSON-2，CanPAK M™	3-WDSON