15A（Ta），50A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiTexas Instruments
系列
-AlphaSGT™NexFET™OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V100 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.6 毫欧 @ 17A，10V6.7 毫欧 @ 50A，10V8.5 毫欧 @ 14A，10V8.8 毫欧 @ 15A，10V9 毫欧 @ 15A，10V9.9 毫欧 @ 9.8A，10V12.6 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 35µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V31.5 nC @ 10 V38 nC @ 10 V46 nC @ 10 V52 nC @ 10 V67 nC @ 10 V91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1440 pF @ 15 V1656 pF @ 20 V2075 pF @ 50 V2180 pF @ 50 V2620 pF @ 20 V4234 pF @ 20 V5100 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta）2.5W（Ta），69W（Tc）3.1W（Ta），60W（Tc）3.1W（Ta），77W（Tc）3.8W（Ta），52W（Tc）4.1W（Ta），52W（Tc）6.25W（Ta），83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3.3x3.3）8-VSONP（5x6）PG-TDSON-8-5TO-252-3TO-252AATO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252-2
DMP4010SK3Q-13
MOSFET P-CH 40V 15A/50A TO252
Diodes Incorporated
7,221
现货
85,000
工厂
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.19390
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
9.9 毫欧 @ 9.8A，10V
2.5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-Power TDFN
CSD18504Q5A
MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
Texas Instruments
15,717
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.71224
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
6.6 毫欧 @ 17A，10V
2.4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
1656 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta），77W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
8-DFN-EP
AONR66922
MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
11,553
现货
1 : ¥11.33000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.69690
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
15A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 50 V
-
4.1W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
8-Power TDFN
BSC067N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON
Infineon Technologies
8,786
现货
1 : ¥12.81000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.04451
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
15A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
6.7 毫欧 @ 50A，10V
2.2V @ 35µA
67 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
TO-252AA
FDD6296
MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK
onsemi
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
8.8 毫欧 @ 15A，10V
3V @ 250µA
31.5 nC @ 10 V
±20V
1440 pF @ 15 V
-
3.8W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263
FDB8447L
MOSFET N-CH 40V 15A/50A TO263AB
onsemi
4,322
现货
1 : ¥18.72000
剪切带（CT）
800 : ¥10.47000
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
8.5 毫欧 @ 14A，10V
3V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±20V
2620 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta），60W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
0
现货
3,000 : ¥5.89978
卷带（TR）
-
卷带（TR）
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
15A（Ta），50A（Tc）
6V，10V
12.6 毫欧 @ 15A，10V
3.4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
2075 pF @ 50 V
-
6.25W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
显示
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15A（Ta），50A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。