15A(Ta),20A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.1 毫欧 @ 15A,4.5V8.4 毫欧 @ 20A,10V8.9 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20 nC @ 10 V27.2 nC @ 4.5 V30 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
700 pF @ 15 V997 pF @ 15 V3365 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
2.3W(Ta),41W(Tc)3.1W(Ta),24W(Tc)3.5W(Ta),28W(Tc)
供应商器件封装
8-DFN-EP(3x3)Power33PowerPAK® 1212-8SH
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8SH
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Power33
FDMC8651
MOSFET N-CH 30V 15A/20A POWER33
onsemi
1,261
现货
1 : ¥12.15000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.01605
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
15A(Ta),20A(Tc)
2.5V,4.5V
6.1 毫欧 @ 15A,4.5V
1.5V @ 250µA
27.2 nC @ 4.5 V
±12V
3365 pF @ 15 V
-
2.3W(Ta),41W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Power33
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8SH
SISH472DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A/20A PPAK
Vishay Siliconix
3,700
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.94953
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
15A(Ta),20A(Tc)
4.5V,10V
8.9 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
997 pF @ 15 V
-
3.5W(Ta),28W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
0
现货
查看交期
5,000 : ¥1.05385
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
15A(Ta),20A(Tc)
4.5V,10V
8.4 毫欧 @ 20A,10V
2.1V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±16V
700 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta),24W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-DFN-EP(3x3)
8-PowerVDFN
显示
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15A(Ta),20A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。