14A（Ta），48A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V80 V100 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.5 毫欧 @ 14A，10V8.5 毫欧 @ 15A，10V9.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 30µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 10 V30 nC @ 10 V53 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
625 pF @ 25 V2085 pF @ 50 V3885 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）2.3W（Ta），54W（Tc）3.1W（Ta），38W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）Power33V-DFN3333-8（B 类）
封装/外壳
8-PowerVDFN8-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Power33
FDMC86340
MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
onsemi
5,496
现货
6,000
工厂
1 : ¥15.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.16843
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
14A（Ta），48A（Tc）
8V，10V
6.5 毫欧 @ 14A，10V
4V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
3885 pF @ 40 V
-
2.3W（Ta），54W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
8-WDFN
NVTFS008N04CTAG
MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
onsemi
1,500
现货
70,500
工厂
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.54723
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
14A（Ta），48A（Tc）
10V
8.5 毫欧 @ 15A，10V
3.5V @ 30µA
10 nC @ 10 V
±20V
625 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），38W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
8-WDFN
NVTFWS008N04CTAG
MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
onsemi
1,500
现货
1 : ¥11.82000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.20129
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
14A（Ta），48A（Tc）
10V
8.5 毫欧 @ 15A，10V
3.5V @ 30µA
10 nC @ 10 V
±20V
625 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），38W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
8-WDFN
NTTFS008N04CTAG
MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥6.08000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.60034
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
14A（Ta），48A（Tc）
10V
8.5 毫欧 @ 15A，10V
3.5V @ 30µA
10 nC @ 10 V
±20V
625 pF @ 25 V
-
3.1W（Ta），38W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
8-PowerVDFN
DMT10H009SCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥3.11146
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14A（Ta），48A（Tc）
10V
9.5 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
2085 pF @ 50 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
V-DFN3333-8（B 类）
8-PowerVDFN
8-PowerVDFN
DMT10H009SCG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,000 : ¥3.11146
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14A（Ta），48A（Tc）
10V
9.5 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
2085 pF @ 50 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
V-DFN3333-8（B 类）
8-PowerVDFN
显示
/ 6

14A（Ta），48A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。