14A（Ta），20A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Fairchild SemiconductorInfineon Technologiesonsemi
系列
OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.8 毫欧 @ 13.5A，10V6.7 毫欧 @ 20A，10V8 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 35µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V43 nC @ 10 V62 nC @ 10 V67 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1410 pF @ 15 V2660 pF @ 20 V4800 pF @ 30 V5100 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta），41W（Tc）2.1W（Ta），69W（Tc）2.1W（Ta），78W（Tc）2.5W（Ta），27W（Tc）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6），Power56PG-TSDSON-8Power33
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-TSDSON
BSZ067N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
Infineon Technologies
13,116
现货
1 : ¥11.66000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.60718
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
14A（Ta），20A（Tc）
4.5V，10V
6.7 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 35µA
67 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
Power33
FDMC8462
MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
onsemi
8,864
现货
1 : ¥18.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.56791
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
14A（Ta），20A（Tc）
4.5V，10V
5.8 毫欧 @ 13.5A，10V
3V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
2660 pF @ 20 V
-
2W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Power33
8-PowerTDFN
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
FDMS0349
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Fairchild Semiconductor
215,483
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14A（Ta），20A（Tc）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 14A，10V
3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1410 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），27W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6），Power56
8-PowerTDFN
8-TSDSON
BS7067N06LS3G
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
Infineon Technologies
0
现货
5,000 : ¥5.51489
卷带（TR）
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
14A（Ta），20A（Tc）
4.5V，10V
6.7 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 35µA
62 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
显示
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14A（Ta），20A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。