13.6A(Ta),49A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V40 V60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.7 毫欧 @ 13.6A,10V8 毫欧 @ 13A,10V8.9 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250µA2.3V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12.3 nC @ 10 V131 nC @ 10 V162 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
881 pF @ 20 V4250 pF @ 15 V6940 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),104W(Tc)2.7W(Ta),5W(Tc)2.9W(Ta),37.5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)8-SOICPowerDI3333-8(SWP)UX 类
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
SI4463CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Vishay Siliconix
10,156
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.05582
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
13.6A(Ta),49A(Tc)
2.5V,10V
8 毫欧 @ 13A,10V
1.4V @ 250µA
162 nC @ 10 V
±12V
4250 pF @ 15 V
-
2.7W(Ta),5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-PQFN
FDMS5352
MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN
onsemi
1,250
现货
1 : ¥22.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥11.17194
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
13.6A(Ta),49A(Tc)
4.5V,10V
6.7 毫欧 @ 13.6A,10V
3V @ 250µA
131 nC @ 10 V
±20V
6940 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMTH47M2LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
Diodes Incorporated
3,000
现货
1 : ¥5.58000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
13.6A(Ta),49A(Tc)
4.5V,10V
8.9 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 250µA
12.3 nC @ 10 V
±20V
881 pF @ 20 V
-
2.9W(Ta),37.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMTH47M2LFVW-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,000 : ¥1.90108
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
13.6A(Ta),49A(Tc)
4.5V,10V
8.9 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 250µA
12.3 nC @ 10 V
±20V
881 pF @ 20 V
-
2.9W(Ta),37.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMTH47M2LFVW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.90109
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
13.6A(Ta),49A(Tc)
4.5V,10V
8.9 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 250µA
12.3 nC @ 10 V
±20V
881 pF @ 20 V
-
2.9W(Ta),37.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMTH47M2LFVWQ-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,000 : ¥2.12676
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
13.6A(Ta),49A(Tc)
4.5V,10V
8.9 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 250µA
12.3 nC @ 10 V
±20V
881 pF @ 20 V
-
2.9W(Ta),37.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
显示
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13.6A(Ta),49A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。