12A（Ta），54A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V7V，10V10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3.8V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V25 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1269 pF @ 20 V1352 pF @ 20 V1443 pF @ 20 V
安装类型
表面贴装型表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装
8-PDFNU（5x6）8-PDFN（5.2x5.75）
封装/外壳
8-PowerLDFN8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
25,680
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.52766
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Ta），54A（Tc）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1269 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta），68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PDFN（5.2x5.75）
8-PowerLDFN
9,500
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.51429
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Ta），54A（Tc）
10V
11 毫欧 @ 12A，10V
4V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1443 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta），68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PDFN（5.2x5.75）
8-PowerLDFN
4,738
现货
1 : ¥10.18000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.21701
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Ta），54A（Tc）
7V，10V
11 毫欧 @ 12A，10V
3.8V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1352 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta），68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
8-PDFNU（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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12A（Ta），54A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。