12A(Ta),50A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 11
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3.8V,10V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8 毫欧 @ 20A,10V8.7 毫欧 @ 14A,10V9 毫欧 @ 20A,10V10 毫欧 @ 20A,10V10 毫欧 @ 50A,10V11 毫欧 @ 14.4A,10V14.5 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 23µA2.6V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 10 V22 nC @ 10 V28 nC @ 5 V33 nC @ 10 V35 nC @ 10 V45 nC @ 10 V49 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
823 pF @ 15 V1230 pF @ 15 V1800 pF @ 20 V1920 pF @ 20 V2500 pF @ 20 V3500 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
2W(Ta),60W(Tc)2.1W(Ta),60W(Tc)2.3W(Ta)2.3W(Ta),35.7W(Tc)2.3W(Ta),50W(Tc)2.5W(Ta),50W(Tc)3.2W(Ta),56W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-5PowerDI3333-8(SWP)UX 类TO-220-3TO-251ATO-252(DPAK)TO-252AATO-263(D2PAK)UltraSO-8™
封装/外壳
3-PowerSMD,引线8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-220-3TO-251-3 短引线,IPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Infineon Technologies
12,408
现货
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.76290
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 50A,10V
2.2V @ 23µA
45 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMT3009LFVW-7
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Diodes Incorporated
2,650
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
2,000 : ¥1.88335
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta),50A(Tc)
3.8V,10V
11 毫欧 @ 14.4A,10V
3V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
823 pF @ 15 V
-
2.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMT3009LFVWQ-7
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Diodes Incorporated
1,290
现货
1 : ¥5.66000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.15040
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta),50A(Tc)
3.8V,10V
11 毫欧 @ 14.4A,10V
3V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
823 pF @ 15 V
-
2.3W(Ta),35.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
TO-252AA
FDD6030L
MOSFET N-CH 30V 12A/50A DPAK
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
14.5 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
28 nC @ 5 V
±20V
1230 pF @ 15 V
-
3.2W(Ta),56W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMT3009LFVW-13
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.78646
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta),50A(Tc)
3.8V,10V
11 毫欧 @ 14.4A,10V
3V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
823 pF @ 15 V
-
2.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMT3009LFVWQ-13
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥2.39023
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta),50A(Tc)
3.8V,10V
11 毫欧 @ 14.4A,10V
3V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
823 pF @ 15 V
-
2.3W(Ta),35.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
TO-251A
AOI4184
MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO251A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
3,500 : ¥2.41031
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 20A,10V
2.6V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.3W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251A
TO-251-3 短引线,IPAK
TO-263 (D2Pak)
AOB4184
MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO263
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
1,600 : ¥3.67892
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
FDP8447L
MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO220-3
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
8.7 毫欧 @ 14A,10V
3V @ 250µA
49 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 20 V
-
2W(Ta),60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
UltraSO-8
AOL1454
MOSFET N-CH 40V 12A/50A ULTRASO8
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1920 pF @ 20 V
-
2.1W(Ta),60W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
UltraSO-8™
3-PowerSMD,引线
0
现货
最后售卖
-
散装
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 20A,10V
2.6V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.3W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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12A(Ta),50A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。