125A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

E3M0016120K SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247- Wolfspeed, Inc.	310 现货	1 : ¥634.91000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiC（碳化硅结晶体管）	1200 V	125A（Tc）	15V	22 毫欧 @ 80.28A，15V	3.6V @ 22.08mA	223 nC @ 15 V	+19V，-8V	6922 pF @ 1000 V	-	483W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	通孔	TO-247-4L	TO-247-4
BUK9Y7R0-60ELX SINGLE N-CHANNEL 60 V, 4.5 MOHM Nexperia USA Inc.	2,589 现货	1 : ¥19.54000 剪切带（CT） 1,500 : ¥7.87835 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	125A（Tc）	4.5V，10V	4.5 毫欧 @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	152 nC @ 10 V	±10V	8327 pF @ 25 V	-	238.4W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	LFPAK56，Power-SO8	SC-100，SOT-669
PSMP075N15NS1_T0_00601 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Panjit International Inc.	1,877 现货	在售	-	-	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	125A（Tc）	7V，10V	7.5 毫欧 @ 50A，10V	4V @ 250µA	97 nC @ 10 V	±20V	6511 pF @ 75 V	-	258.6W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB-L	TO-220-3
STL120N10F8 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE STAND STMicroelectronics	0 现货查看交期	1 : ¥21.18000 剪切带（CT） 3,000 : ¥9.53888 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	125A（Tc）	10V	4.6 毫欧 @ 60A，10V	4V @ 250µA	56 nC @ 10 V	±20V	3600 pF @ 50 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerFlat™（5x6）	8-PowerVDFN
MCAC125N04YHE3-TP POWER MOSFET Micro Commercial Co	0 现货查看交期	1 : ¥13.94000 剪切带（CT） 5,000 : ¥6.13840 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	125A（Tc）	10V	2.6 毫欧 @ 20A，10V	4V @ 250µA	42 nC @ 10 V	±20V	3555 pF @ 25 V	-	100W（Tj）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	DFN5060	8-PowerTDFN
DIW120SIC023-AQ MOSFET TO-247-3L N 130A 1200V Diotec Semiconductor	0 现货查看交期	1 : ¥648.05000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	125A（Tc）	18V	23 毫欧 @ 75A，18V	2.9V @ 250µA	45 nC @ 18 V	-	6150 pF @ 1000 V	-	600W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	通孔	TO-247	TO-247-3