124A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 7
制造商
GeneSiC SemiconductorMicrochip TechnologyonsemiTaiwan Semiconductor CorporationTexas Instruments
系列
-G3R™NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
25 V30 V40 V700 V1700 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V15V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.9 毫欧 @ 28A,10V3.6 毫欧 @ 22A,10V5.3 毫欧 @ 19A,10V19 毫欧 @ 40A,20V26 毫欧 @ 75A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250µA2.4V @ 4mA2.5V @ 250µA2.7V @ 15mA3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
50 nC @ 10 V61 nC @ 10 V63 nC @ 10 V215 nC @ 20 V400 nC @ 15 V
Vgs(最大值)
±15V±16V±20V+25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2530 pF @ 15 V4280 pF @ 20 V4500 pF @ 700 V4615 pF @ 13 V10187 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值)
47W(Tc)83W(Tc)96W(Tc)365W(Tc)809W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PDFN(5x6)8-VSONP(5x6)Power33SOT-227(ISOTOP®)TO-247-4
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFNSOT-227-4,miniBLOCTO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-4 Top
G3R20MT17K
SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,192
现货
1 : ¥880.04000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
124A(Tc)
15V
26 毫欧 @ 75A,15V
2.7V @ 15mA
400 nC @ 15 V
±15V
10187 pF @ 1000 V
-
809W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4
TO-247-4
8-Power TDFN
CSD18513Q5A
MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON
Texas Instruments
6,376
现货
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.79147
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
124A(Tc)
4.5V,10V
5.3 毫欧 @ 19A,10V
2.4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
4280 pF @ 20 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18513Q5AT
MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON
Texas Instruments
937
现货
1 : ¥11.08000
剪切带(CT)
250 : ¥7.00192
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
124A(Tc)
4.5V,10V
5.3 毫欧 @ 19A,10V
2.4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
4280 pF @ 20 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
APT2X60D60J
MSC100SM70JCU3
SICFET N-CH 700V 124A SOT227
Microchip Technology
28
现货
1 : ¥479.51000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
700 V
124A(Tc)
20V
19 毫欧 @ 40A,20V
2.4V @ 4mA
215 nC @ 20 V
+25V,-10V
4500 pF @ 700 V
-
365W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SOT-227(ISOTOP®)
SOT-227-4,miniBLOC
Power33
FDMC2D8N025S
MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
onsemi
1,121
现货
1 : ¥11.33000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
124A(Tc)
4.5V,10V
1.9 毫欧 @ 28A,10V
3V @ 1mA
63 nC @ 10 V
±16V
4615 pF @ 13 V
-
47W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
APT2X60D60J
MSC100SM70JCU2
SICFET N-CH 700V 124A SOT227
Microchip Technology
6
现货
1 : ¥479.51000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
700 V
124A(Tc)
20V
19 毫欧 @ 40A,20V
2.4V @ 4mA
215 nC @ 20 V
+25V,-10V
4500 pF @ 700 V
-
365W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SOT-227(ISOTOP®)
SOT-227-4,miniBLOC
368
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.72705
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
124A(Tc)
4.5V,10V
3.6 毫欧 @ 22A,10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2530 pF @ 15 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PDFN(5x6)
8-PowerTDFN
显示
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124A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。