12.6A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-QFET®TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V200 V800 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19 毫欧 @ 9A，10V230 毫欧 @ 6.3A，5V470 毫欧 @ 6.3A，10V750 毫欧 @ 6.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.2V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
40 nC @ 10 V42 nC @ 10 V88 nC @ 10 V120 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1200 pF @ 25 V1500 pF @ 15 V3250 pF @ 25 V3500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
4.8W（Tc）90W（Tc）150W（Tc）300W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICTO-3PTO-3PFTO-3PN
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-3P-3 整包TO-3P-3，SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
SI4435FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Vishay Siliconix
34,062
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.03809
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12.6A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 9A，10V
2.2V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
4.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-3P-3,TO-247-3
FQA13N80-F109
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
onsemi
61
现货
1 : ¥49.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
12.6A（Tc）
10V
750 毫欧 @ 6.3A，10V
5V @ 250µA
88 nC @ 10 V
±30V
3500 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-3PN
TO-3P-3，SC-65-3
TO-3P-3,TO-247-3
FQA12P20
MOSFET P-CH 200V 12.6A TO3P
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
12.6A（Tc）
10V
470 毫欧 @ 6.3A，10V
5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
1200 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-3P
TO-3P-3，SC-65-3
TO-220F
SFF9250L
MOSFET P-CH 200V 12.6A TO3PF
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
12.6A（Tc）
5V
230 毫欧 @ 6.3A，5V
2V @ 250µA
120 nC @ 5 V
±20V
3250 pF @ 25 V
-
90W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
TO-3P-3,TO-247-3
FQA13N80
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
12.6A（Tc）
10V
750 毫欧 @ 6.3A，10V
5V @ 250µA
88 nC @ 10 V
±30V
3500 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-3PN
TO-3P-3，SC-65-3
显示
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12.6A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。