12.5A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 15
制造商
Infineon TechnologiesIXYSNXP USA Inc.onsemiTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-CoolGaN™CoolMOS™ P7HiPerFET™QFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产最后售卖在售
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V80 V110 V500 V600 V700 V1000 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
32 毫欧 @ 7.5A,10V50 毫欧 @ 8A,10V90 毫欧 @ 9A,10V360 毫欧 @ 3A,10V430 毫欧 @ 6.25A,10V900 毫欧 @ 500mA,10V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1,6V @ 960µA2V @ 10µA3V @ 250µA3.5V @ 150µA4V @ 1mA4.5V @ 4mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7 nC @ 4.5 V16.4 nC @ 10 V16.4 nC @ 400 V21 nC @ 10 V60 nC @ 10 V155 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-10V±16V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
157 pF @ 400 V270 pF @ 25 V517 pF @ 400 V540 pF @ 25 V635 pF @ 25 V2300 pF @ 25 V4000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
7.2W(Tc)11.5W(Tc)12.5W(Tc)26.4W(Tc)26.5W(Tc)31.2W(Tc)55,5W(Tc)56W(Tc)59.4W(Tc)59.5W(Tc)170W(Tc)300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-PQFN(2x2)(DFN2020)PG-HSOF-8-3PG-SOT223PG-TO220 整包PG-TO220-FPPG-TO251-3PG-TO252-3TO-220-3TO-220FTO-220F-3TO-247AD(IXFH)TO-252(DPAK)TO-268AA
封装/外壳
6-PowerVDFN8-PowerSFNTO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-220-3TO-247-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AATO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-PowerVDFN
IRL80HS120
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Infineon Technologies
35,754
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.07732
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
12.5A(Tc)
4.5V,10V
32 毫欧 @ 7.5A,10V
2V @ 10µA
7 nC @ 4.5 V
±20V
540 pF @ 25 V
-
11.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
6-PQFN(2x2)(DFN2020)
6-PowerVDFN
TO252-3
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Infineon Technologies
106,416
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.27425
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
12.5A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 3A,10V
3.5V @ 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
59.4W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-SOT223
IPN70R360P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Infineon Technologies
3,654
现货
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.15994
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
12.5A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 3A,10V
3.5V @ 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
7.2W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
PG-TO-220-FP
IPA70R360P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Infineon Technologies
372
现货
1 : ¥10.59000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
12.5A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 3A,10V
3.5V @ 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
26.4W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
PG-TO251-3
IPS70R360P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Infineon Technologies
1,371
现货
1 : ¥8.74000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
12.5A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 3A,10V
3.5V @ 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
59.5W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
PG-TO251-3
IPSA70R360P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Infineon Technologies
345
现货
1 : ¥8.70000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
12.5A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 3A,10V
3.5V @ 150µA
16.4 nC @ 400 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
59.5W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
PG-TO-220-FP
IPAN70R360P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥10.59000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
12.5A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 3A,10V
3.5V @ 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
26.5W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO-268
IXFT13N100
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO268
IXYS
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
12.5A(Tc)
10V
900 毫欧 @ 500mA,10V
4.5V @ 4mA
155 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-220-3
FQP13N50
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220-3
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
12.5A(Tc)
10V
430 毫欧 @ 6.25A,10V
5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
2300 pF @ 25 V
-
170W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220F
FQPF13N50
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
12.5A(Tc)
10V
430 毫欧 @ 6.25A,10V
5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
2300 pF @ 25 V
-
56W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-220F
FQPF13N50T
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
12.5A(Tc)
10V
430 毫欧 @ 6.25A,10V
5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
2300 pF @ 25 V
-
56W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-220-3FullPack_SOT186A
PHX18NQ11T,127
MOSFET N-CH 110V 12.5A TO220F
NXP USA Inc.
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
110 V
12.5A(Tc)
10V
90 毫欧 @ 9A,10V
4V @ 1mA
21 nC @ 10 V
±20V
635 pF @ 25 V
-
31.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220F
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO-247_IXFH
IXFH13N100
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD
IXYS
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
12.5A(Tc)
10V
900 毫欧 @ 500mA,10V
4.5V @ 4mA
155 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247AD(IXFH)
TO-247-3
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12.5A(Tc)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 8A,10V
3V @ 250µA
7 nC @ 4.5 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
12.5W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-PowerSFN
IGT60R190D1SATMA1
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
GaNFET(氮化镓)
600 V
12.5A(Tc)
-
-
1,6V @ 960µA
-
-10V
157 pF @ 400 V
-
55,5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-HSOF-8-3
8-PowerSFN
显示
/ 15

12.5A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。