110mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
200 V240 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
14 欧姆 @ 100mA,10V32 欧姆 @ 125mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 56µA3.5V @ 1mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
77 pF @ 25 V100 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
360mW(Ta)700mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-SOT23TO-92
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Infineon Technologies
10,532
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68272
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
110mA(Ta)
4.5V,10V
14 欧姆 @ 100mA,10V
1.8V @ 56µA
3.1 nC @ 10 V
±20V
77 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS131L6327HTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Infineon Technologies
0
现货
3,000 : ¥0.87566
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
110mA(Ta)
4.5V,10V
14 欧姆 @ 100mA,10V
1.8V @ 56µA
3.1 nC @ 10 V
±20V
77 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-92
ZVP0120AS
MOSFET P-CH 200V 110MA TO92-3
Diodes Incorporated
0
现货
2,000 : ¥2.17400
散装
-
散装
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
110mA(Ta)
10V
32 欧姆 @ 125mA,10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
700mW(Ta)
-
通孔
TO-92
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
SOT-23-3
BSS131E6327
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
110mA(Ta)
4.5V,10V
14 欧姆 @ 100mA,10V
1.8V @ 56µA
3.1 nC @ 10 V
±20V
77 pF @ 25 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
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110mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。