11.1A（Ta）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

DMP2021UFDE-7 MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN Diodes Incorporated	2,908 现货 1,515,000 工厂	1 : ¥4.52000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.52628 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	11.1A（Ta）	1.5V，4.5V	16 毫欧 @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	59 nC @ 8 V	±10V	2760 pF @ 15 V	-	1.9W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	U-DFN2020-6（E 类）	6-PowerUDFN
TK11P65W,RQ MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	473 现货	1 : ¥15.35000 剪切带（CT） 2,000 : ¥6.92295 卷带（TR）	DTMOSIV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	11.1A（Ta）	10V	440 毫欧 @ 5.5A，10V	3.5V @ 450µA	25 nC @ 10 V	±30V	890 pF @ 300 V	-	100W（Tc）	150°C（TJ）	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
NTMS4802NR2G MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SOIC onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	11.1A（Ta）	4.5V，10V	4 毫欧 @ 18A，10V	2.5V @ 250µA	36 nC @ 4.5 V	±20V	5300 pF @ 25 V	-	910mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TK11A65W,S5X MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	77 现货	1 : ¥11.74000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	11.1A（Ta）	10V	390 毫欧 @ 5.5A，10V	3.5V @ 450µA	25 nC @ 10 V	±30V	890 pF @ 300 V	-	35W（Tc）	150°C（TJ）	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
DMP2021UFDE-13 MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN Diodes Incorporated	0 现货 10,000 工厂查看交期	10,000 : ¥1.34520 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	11.1A（Ta）	1.5V，4.5V	16 毫欧 @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	59 nC @ 8 V	±10V	2760 pF @ 15 V	-	1.9W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	U-DFN2020-6（E 类）	6-PowerUDFN
BSO4410 MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO Infineon Technologies	0 现货	1 : ¥7.06000 剪切带（CT） 2,500 : ¥2.90867 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	11.1A（Ta）	4.5V，10V	13 毫欧 @ 11.1A，10V	2V @ 42µA	21 nC @ 5 V	±20V	1280 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
BSO4410T MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO Infineon Technologies	0 现货	1 : ¥8.29000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.42931 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	11.1A（Ta）	4.5V，10V	13 毫欧 @ 11.1A，10V	2V @ 42µA	21 nC @ 5 V	±20V	1280 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-SO	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）