10A（Tj） 单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Good-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesNXP USA Inc.onsemiRenesas Electronics Corporation
系列
-CoolSiC™SuperFET® IIITrenchMOS™
包装
卷带（TR）托盘散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
技术
MOSFET（金属氧化物）SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）
30 V600 V650 V950 V1700 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V12V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13.5 毫欧 @ 10A，10V360 毫欧 @ 5A，10V390mOhm @ 2A, 15V500 毫欧 @ 5A，10V750 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA3.9V @ 250µA4V @ 700µA4.5V @ 200µA4.5V @ 250µA5.7V @ 2.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.7 nC @ 12 V17.5 nC @ 10 V18 nC @ 10 V24 nC @ 10 V34 nC @ 5 V40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
15V，12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
506 pF @ 1000 V730 pF @ 400 V916 pF @ 400 V1568 pF @ 50 V1600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）26W（Tc）27W（Tc）34W（Tj）50W（Tc）111W（Tc）151W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOPG-TO247-3-U04TO-220FTO-220F-3TO-220FPTO-247
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-220-3 整包TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220F-3
FCPF360N65S3R0L-F154
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
onsemi
640
现货
1 : ¥23.40000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
10A（Tj）
10V
360 毫欧 @ 5A，10V
4.5V @ 200µA
18 nC @ 10 V
±30V
730 pF @ 400 V
-
27W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
240
现货
1 : ¥69.71000
托盘
托盘
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
1700 V
10A（Tj）
12V，15V
390mOhm @ 2A, 15V
5.7V @ 2.6mA
11.7 nC @ 12 V
15V，12V
506 pF @ 1000 V
-
111W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-3-U04
TO-247-3
GSFU65R400
GSFU95R500
MOSFET, N-CH, SINGLE, 10A, 950V,
Good-Ark Semiconductor
1,000
现货
1 : ¥34.07000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
950 V
10A（Tj）
10V
500 毫欧 @ 5A，10V
3.9V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±30V
1568 pF @ 50 V
-
34W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
GSFA95R500
GSFA95R500
MOSFET, N-CH, SINGLE, 10.00A, 95
Good-Ark Semiconductor
990
现货
1 : ¥34.97000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
950 V
10A（Tj）
10V
500 毫欧 @ 5A，10V
3.9V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±30V
1568 pF @ 50 V
-
151W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
10,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
不适用于新设计
-
-
-
10A（Tj）
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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-
-
TO-220-3 Full Pack
NTPF360N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
onsemi
0
现货
50 : ¥21.08460
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
10A（Tj）
10V
360 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 700µA
17.5 nC @ 10 V
±30V
916 pF @ 400 V
-
26W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
0
现货
1,000 : ¥5.23642
卷带（TR）
-
卷带（TR）
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
10A（Tj）
10V
750 毫欧 @ 5A，10V
4.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
1600 pF @ 25 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
8 SOIC
SI4410DY,518
MOSFET N-CH 30V 8SO
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10A（Tj）
4.5V，10V
13.5 毫欧 @ 10A，10V
1V @ 250µA
34 nC @ 5 V
±20V
-
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
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10A（Tj）
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0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
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10A（Tj）
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10A（Tj） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。