109A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IPZ60R017C7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4 Infineon Technologies	200 现货	1 : ¥182.66000 管件	CoolMOS™ C7	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	109A（Tc）	10V	17 毫欧 @ 58.2A，10V	4V @ 2.91mA	240 nC @ 10 V	±20V	9890 pF @ 400 V	-	446W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-4	TO-247-4
IPP040N06NF2SAKMA1 MOSFET N-CH Infineon Technologies	655 现货	1 : ¥10.59000 管件	StrongIFET™2	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	109A（Tc）	6V，10V	4 毫欧 @ 60A，10V	3.3V @ 52µA	68 nC @ 10 V	±20V	3000 pF @ 30 V	-	3.8W（Ta），107W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO220-3	TO-220-3
IPW60R017C7XKSA1 HIGH POWER_NEW Infineon Technologies	471 现货	1 : ¥176.50000 管件	CoolMOS™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	109A（Tc）	10V	17 毫欧 @ 58.2A，10V	4V @ 2.91mA	240 nC @ 10 V	±20V	9890 pF @ 400 V	-	446W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3-41	TO-247-3
NVTFS5C658NLTAG MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN onsemi	1,500 现货	1 : ¥12.31000 剪切带（CT） 1,500 : ¥5.85042 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	109A（Tc）	4.5V，10V	5 毫欧 @ 50A，10V	2.2V @ 250µA	12 nC @ 4.5 V	±20V	1935 pF @ 25 V	-	114W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	8-WDFN（3.3x3.3）	8-PowerWDFN
NVTFS5C658NLWFTAG MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN onsemi	1,292 现货	1 : ¥13.55000 剪切带（CT） 1,500 : ¥6.42622 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	109A（Tc）	4.5V，10V	5 毫欧 @ 50A，10V	2.2V @ 250µA	12 nC @ 4.5 V	±20V	1935 pF @ 25 V	-	114W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	8-WDFN（3.3x3.3）	8-PowerWDFN