104A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 28
制造商
Infineon TechnologiesMicrochip TechnologyonsemiQorvoSMC Diode SolutionsTexas InstrumentsWolfspeed, Inc.
系列
-EHEXFET®NexFET™POWER MOS V®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V40 V55 V150 V200 V750 V1200 V3300 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4V,10V4.5V,10V10V12V15V15V,18V18V,20V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.5 毫欧 @ 10A,4.5V8 毫欧 @ 54A,10V8 毫欧 @ 62A,10V11 毫欧 @ 62A,10V14.2 毫欧 @ 60A,12V20 毫欧 @ 52A,10V20 毫欧 @ 74A,18V25 毫欧 @ 43A,20V28.8 毫欧 @ 62.1A,15V31 毫欧 @ 40A,20V34 毫欧 @ 50A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.15V @ 250µA2V @ 250µA2.7V @ 7mA3.6V @ 17.1mA4V @ 15mA4.63V @ 37mA5V @ 2.5mA5V @ 250µA5.1V @ 15mA5.5V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14.1 nC @ 4.5 V68 nC @ 4.5 V75 nC @ 15 V82 nC @ 20 V110 nC @ 10 V120 nC @ 10 V130 nC @ 5 V165 nC @ 20 V177 nC @ 15 V337 nC @ 18 V410 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
±12V±16V+19V,-8V+20V,-5V±20V+22V,-10V+23V,-10V+23V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2120 pF @ 10 V2667 pF @ 800 V3245 pF @ 400 V3445 pF @ 25 V4054 pF @ 1000 V5000 pF @ 25 V5100 pF @ 1000 V5270 pF @ 50 V6313 pF @ 800 V6850 pF @ 25 V8720 pF @ 2640 V
功率耗散(最大值)
2.4W(Ta),167W(Tc)2.8W(Ta),96W(Tc)3.8W(Ta),200W(Tc)167W(Tc)200W(Tc)357W(Tc)380W(Tc)405W(Tc)454W(Tc)468W(Tc)535W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-VSONP(3x3.3)D2PAKD2PAK-7ISOTOP®PG-TO263-7-12SOT-227TO-220ABTO-247-4TO-247-4LTO-262
封装/外壳
8-PowerVDFNSOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-247-4TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
28结果
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/ 28
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRFB4115PBF
MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Infineon Technologies
10,952
现货
1 : ¥21.43000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
104A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 62A,10V
5V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5270 pF @ 50 V
-
380W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
D2PAK-7
NTBG014N120M3P
SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
onsemi
1,071
现货
800
工厂
1 : ¥238.09000
剪切带(CT)
800 : ¥157.90679
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
104A(Tc)
15V,18V
20 毫欧 @ 74A,18V
4.63V @ 37mA
337 nC @ 18 V
+22V,-10V
6313 pF @ 800 V
-
454W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
8-Power TDFN
CSD25404Q3
MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Texas Instruments
4,905
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.59793
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
104A(Tc)
1.8V,4.5V
6.5 毫欧 @ 10A,4.5V
1.15V @ 250µA
14.1 nC @ 4.5 V
±12V
2120 pF @ 10 V
-
2.8W(Ta),96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(3x3.3)
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
CSD25404Q3T
MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Texas Instruments
8,704
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
250 : ¥4.82544
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
104A(Tc)
1.8V,4.5V
6.5 毫欧 @ 10A,4.5V
1.15V @ 250µA
14.1 nC @ 4.5 V
±12V
2120 pF @ 10 V
-
2.8W(Ta),96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(3x3.3)
8-PowerVDFN
TO-247-4L
UJ4SC075011K4S
750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD
Qorvo
560
现货
1 : ¥256.23000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
750 V
104A(Tc)
12V
14.2 毫欧 @ 60A,12V
5.5V @ 10mA
75 nC @ 15 V
±20V
3245 pF @ 400 V
-
357W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
C3M0065100K
E3M0021120K
SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-
Wolfspeed, Inc.
211
现货
1 : ¥325.36000
管件
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
104A(Tc)
15V
28.8 毫欧 @ 62.1A,15V
3.6V @ 17.1mA
177 nC @ 15 V
+19V,-8V
5100 pF @ 1000 V
-
405W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-220AB PKG
IRL2505PBF
MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB
Infineon Technologies
9,194
现货
1 : ¥21.26000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
104A(Tc)
4V,10V
8 毫欧 @ 54A,10V
2V @ 250µA
130 nC @ 5 V
±16V
5000 pF @ 25 V
-
200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
UF3C120080B7S
UJ4SC075011B7S
750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Qorvo
9
现货
1 : ¥241.37000
剪切带(CT)
800 : ¥160.05501
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
750 V
104A(Tc)
12V
14.2 毫欧 @ 60A,12V
5.5V @ 10mA
75 nC @ 15 V
±20V
3245 pF @ 400 V
-
357W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
0
现货
查看交期
1 : ¥209.11000
剪切带(CT)
1,000 : ¥136.48803
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
104A(Tc)
18V,20V
25 毫欧 @ 43A,20V
5.1V @ 15mA
82 nC @ 20 V
+23V,-5V
2667 pF @ 800 V
-
468W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
ISOTOP
S2M0025120N
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
SMC Diode Solutions
0
现货
查看交期
1 : ¥312.91000
散装
-
散装
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
104A(Tc)
20V
34 毫欧 @ 50A,20V
4V @ 15mA
165 nC @ 20 V
+20V,-5V
4054 pF @ 1000 V
-
535W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL2505STRRPBF
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
800 : ¥10.94540
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
104A(Tc)
4V,10V
8 毫欧 @ 54A,10V
2V @ 250µA
130 nC @ 5 V
±16V
5000 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
0
现货
查看交期
1,000 : ¥16.68630
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
104A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 62A,10V
5V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5270 pF @ 50 V
-
380W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL2505STRL
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
800 : ¥19.90074
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
104A(Tc)
4V,10V
8 毫欧 @ 54A,10V
2V @ 250µA
130 nC @ 5 V
±16V
5000 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL2505STRR
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
800 : ¥19.90074
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
104A(Tc)
4V,10V
8 毫欧 @ 54A,10V
2V @ 250µA
130 nC @ 5 V
±16V
5000 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL1104S
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
50 : ¥22.39320
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
104A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 62A,10V
1V @ 250µA
68 nC @ 4.5 V
±16V
3445 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta),167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB PKG
IRL1104
MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB
Infineon Technologies
0
现货
50 : ¥22.39320
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
104A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 62A,10V
1V @ 250µA
68 nC @ 4.5 V
±16V
3445 pF @ 25 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-262-3
IRL1104L
MOSFET N-CH 40V 104A TO262
Infineon Technologies
0
现货
50 : ¥22.39320
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
104A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 62A,10V
1V @ 250µA
68 nC @ 4.5 V
±16V
3445 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta),167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL2505STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
104A(Tc)
4V,10V
8 毫欧 @ 54A,10V
2V @ 250µA
130 nC @ 5 V
±16V
5000 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
SOT-227-4,-miniBLOC
APT20M20JLL
MOSFET N-CH 200V 104A ISOTOP
Microchip Technology
0
现货
查看交期
20 : ¥253.35700
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
104A(Tc)
-
20 毫欧 @ 52A,10V
5V @ 2.5mA
110 nC @ 10 V
-
6850 pF @ 25 V
-
-
-
-
-
底座安装
ISOTOP®
SOT-227-4,miniBLOC
SOT-227-4,-miniBLOC
APT20M20JFLL
MOSFET N-CH 200V 104A ISOTOP
Microchip Technology
0
现货
查看交期
20 : ¥361.56700
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
104A(Tc)
-
20 毫欧 @ 52A,10V
5V @ 2.5mA
110 nC @ 10 V
-
6850 pF @ 25 V
-
-
-
-
-
底座安装
ISOTOP®
SOT-227-4,miniBLOC
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL2505S
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
104A(Tc)
4V,10V
8 毫欧 @ 54A,10V
2V @ 250µA
130 nC @ 5 V
±16V
5000 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-262-3
IRL2505L
MOSFET N-CH 55V 104A TO262
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
104A(Tc)
4V,10V
8 毫欧 @ 54A,10V
2V @ 250µA
130 nC @ 5 V
±16V
5000 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-220AB PKG
IRL1104PBF
MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
104A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 62A,10V
1V @ 250µA
68 nC @ 4.5 V
±16V
3445 pF @ 25 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL1104SPBF
MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
104A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 62A,10V
1V @ 250µA
68 nC @ 4.5 V
±16V
3445 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta),167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-262-3
IRL1104LPBF
MOSFET N-CH 40V 104A TO262
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
104A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 62A,10V
1V @ 250µA
68 nC @ 4.5 V
±16V
3445 pF @ 25 V
-
2.4W(Ta),167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
显示
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104A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。