104A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRFB4115PBF MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB Infineon Technologies	10,952 现货	1 : ¥21.43000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	104A（Tc）	10V	11 毫欧 @ 62A，10V	5V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	5270 pF @ 50 V	-	380W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
NTBG014N120M3P SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE onsemi	1,071 现货 800 工厂	1 : ¥238.09000 剪切带（CT） 800 : ¥157.90679 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	104A（Tc）	15V，18V	20 毫欧 @ 74A，18V	4.63V @ 37mA	337 nC @ 18 V	+22V，-10V	6313 pF @ 800 V	-	454W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK-7	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
CSD25404Q3 MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON Texas Instruments	4,905 现货	1 : ¥8.70000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.59793 卷带（TR）	NexFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	104A（Tc）	1.8V，4.5V	6.5 毫欧 @ 10A，4.5V	1.15V @ 250µA	14.1 nC @ 4.5 V	±12V	2120 pF @ 10 V	-	2.8W（Ta），96W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-VSONP（3x3.3）	8-PowerVDFN
CSD25404Q3T MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON Texas Instruments	8,704 现货	1 : ¥10.92000 剪切带（CT） 250 : ¥4.82544 卷带（TR）	NexFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	104A（Tc）	1.8V，4.5V	6.5 毫欧 @ 10A，4.5V	1.15V @ 250µA	14.1 nC @ 4.5 V	±12V	2120 pF @ 10 V	-	2.8W（Ta），96W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-VSONP（3x3.3）	8-PowerVDFN
UJ4SC075011K4S 750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD Qorvo	560 现货	1 : ¥256.23000 管件	-	管件	在售	N 通道	SiCFET（共源共栅 SiCJFET）	750 V	104A（Tc）	12V	14.2 毫欧 @ 60A，12V	5.5V @ 10mA	75 nC @ 15 V	±20V	3245 pF @ 400 V	-	357W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-4	TO-247-4
E3M0021120K SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247- Wolfspeed, Inc.	211 现货	1 : ¥325.36000 管件	E	管件	在售	N 通道	SiC（碳化硅结晶体管）	1200 V	104A（Tc）	15V	28.8 毫欧 @ 62.1A，15V	3.6V @ 17.1mA	177 nC @ 15 V	+19V，-8V	5100 pF @ 1000 V	-	405W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	通孔	TO-247-4L	TO-247-4
IRL2505PBF MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB Infineon Technologies	9,194 现货	1 : ¥21.26000 管件	HEXFET®	管件	最后售卖	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	104A（Tc）	4V，10V	8 毫欧 @ 54A，10V	2V @ 250µA	130 nC @ 5 V	±16V	5000 pF @ 25 V	-	200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
UJ4SC075011B7S 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS Qorvo	9 现货	1 : ¥241.37000 剪切带（CT） 800 : ¥160.05501 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（共源共栅 SiCJFET）	750 V	104A（Tc）	12V	14.2 毫欧 @ 60A，12V	5.5V @ 10mA	75 nC @ 15 V	±20V	3245 pF @ 400 V	-	357W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK-7	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
AIMBG120R020M1XTMA1 SIC_DISCRETE Infineon Technologies	0 现货查看交期	1 : ¥209.11000 剪切带（CT） 1,000 : ¥136.48803 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiC（碳化硅结晶体管）	1200 V	104A（Tc）	18V，20V	25 毫欧 @ 43A，20V	5.1V @ 15mA	82 nC @ 20 V	+23V，-5V	2667 pF @ 800 V	-	468W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	PG-TO263-7-12	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
S2M0025120N MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V SMC Diode Solutions	0 现货查看交期	1 : ¥312.91000 散装	-	散装	在售	N 通道	SiC（碳化硅结晶体管）	1200 V	104A（Tc）	20V	34 毫欧 @ 50A，20V	4V @ 15mA	165 nC @ 20 V	+20V，-5V	4054 pF @ 1000 V	-	535W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	底座安装	SOT-227	SOT-227-4，miniBLOC
IRL2505STRRPBF MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	800 : ¥10.94540 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	104A（Tc）	4V，10V	8 毫欧 @ 54A，10V	2V @ 250µA	130 nC @ 5 V	±16V	5000 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRFB4115PBFXKMA1 TRENCH >=100V Infineon Technologies	0 现货查看交期	1,000 : ¥16.68630 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	150 V	104A（Tc）	10V	11 毫欧 @ 62A，10V	5V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	5270 pF @ 50 V	-	380W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRL2505STRL MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	800 : ¥19.90074 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	104A（Tc）	4V，10V	8 毫欧 @ 54A，10V	2V @ 250µA	130 nC @ 5 V	±16V	5000 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRL2505STRR MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	800 : ¥19.90074 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	104A（Tc）	4V，10V	8 毫欧 @ 54A，10V	2V @ 250µA	130 nC @ 5 V	±16V	5000 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRL1104S MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	50 : ¥22.39320 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	104A（Tc）	4.5V，10V	8 毫欧 @ 62A，10V	1V @ 250µA	68 nC @ 4.5 V	±16V	3445 pF @ 25 V	-	2.4W（Ta），167W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRL1104 MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB Infineon Technologies	0 现货	50 : ¥22.39320 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	104A（Tc）	4.5V，10V	8 毫欧 @ 62A，10V	1V @ 250µA	68 nC @ 4.5 V	±16V	3445 pF @ 25 V	-	167W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRL1104L MOSFET N-CH 40V 104A TO262 Infineon Technologies	0 现货	50 : ¥22.39320 管件	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	104A（Tc）	4.5V，10V	8 毫欧 @ 62A，10V	1V @ 250µA	68 nC @ 4.5 V	±16V	3445 pF @ 25 V	-	2.4W（Ta），167W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-262	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IRL2505STRLPBF MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	104A（Tc）	4V，10V	8 毫欧 @ 54A，10V	2V @ 250µA	130 nC @ 5 V	±16V	5000 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
APT20M20JLL MOSFET N-CH 200V 104A ISOTOP Microchip Technology	0 现货查看交期	20 : ¥253.35700 管件	POWER MOS V®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	104A（Tc）	-	20 毫欧 @ 52A，10V	5V @ 2.5mA	110 nC @ 10 V	-	6850 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	底座安装	ISOTOP®	SOT-227-4，miniBLOC
APT20M20JFLL MOSFET N-CH 200V 104A ISOTOP Microchip Technology	0 现货查看交期	20 : ¥361.56700 管件	POWER MOS V®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	104A（Tc）	-	20 毫欧 @ 52A，10V	5V @ 2.5mA	110 nC @ 10 V	-	6850 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	底座安装	ISOTOP®	SOT-227-4，miniBLOC
IRL2505S MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	104A（Tc）	4V，10V	8 毫欧 @ 54A，10V	2V @ 250µA	130 nC @ 5 V	±16V	5000 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRL2505L MOSFET N-CH 55V 104A TO262 Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	55 V	104A（Tc）	4V，10V	8 毫欧 @ 54A，10V	2V @ 250µA	130 nC @ 5 V	±16V	5000 pF @ 25 V	-	3.8W（Ta），200W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-262	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IRL1104PBF MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	104A（Tc）	4.5V，10V	8 毫欧 @ 62A，10V	1V @ 250µA	68 nC @ 4.5 V	±16V	3445 pF @ 25 V	-	167W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRL1104SPBF MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	104A（Tc）	4.5V，10V	8 毫欧 @ 62A，10V	1V @ 250µA	68 nC @ 4.5 V	±16V	3445 pF @ 25 V	-	2.4W（Ta），167W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRL1104LPBF MOSFET N-CH 40V 104A TO262 Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	104A（Tc）	4.5V，10V	8 毫欧 @ 62A，10V	1V @ 250µA	68 nC @ 4.5 V	±16V	3445 pF @ 25 V	-	2.4W（Ta），167W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-262	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA