10.2A（Ta）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

FDS8878 MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC onsemi	13,683 现货 5,000 工厂	1 : ¥5.42000 剪切带（CT） 2,500 : ¥1.82835 卷带（TR）	PowerTrench®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	10.2A（Ta）	4.5V，10V	14 毫欧 @ 10.2A，10V	2.5V @ 250µA	26 nC @ 10 V	±20V	897 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
DMP3018SFK-7 MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN Diodes Incorporated	2,609 现货 84,000 工厂	1 : ¥7.80000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.95266 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	10.2A（Ta）	4.5V，10V	14.5 毫欧 @ 9.5A，10V	3V @ 250µA	90 nC @ 10 V	±25V	4414 pF @ 15 V	-	1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	U-DFN2523-6	6-PowerUDFN
NTP4813NLG MOSFET N-CH 30V 10.2A TO220AB onsemi	0 现货	在售	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	10.2A（Ta）	4.5V，10V	13.1 毫欧 @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	17 nC @ 11.5 V	±20V	895 pF @ 12 V	-	2.4W（Ta），60W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
NTMFS4937NCT3G MOSFET N-CH 30V 10.2A 5DFN onsemi	0 现货	在售	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	10.2A（Ta）	4.5V，10V	4 毫欧 @ 30A，10V	2.2V @ 250µA	31 nC @ 10 V	±20V	2516 pF @ 15 V	-	-	-	-	-	表面贴装型	5-DFN（5x6）（8-SOFL）	8-PowerTDFN，5 引线
NTMFS4937NCT1G MOSFET N-CH 30V 10.2A 5DFN onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	10.2A（Ta）	4.5V，10V	4 毫欧 @ 30A，10V	2.2V @ 250µA	31 nC @ 10 V	±20V	2516 pF @ 15 V	-	-	-	-	-	表面贴装型	5-DFN（5x6）（8-SOFL）	8-PowerTDFN，5 引线
DMP3018SFK-13 MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN Diodes Incorporated	0 现货查看交期	10,000 : ¥2.59004 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	10.2A（Ta）	4.5V，10V	14.5 毫欧 @ 9.5A，10V	3V @ 250µA	90 nC @ 10 V	±25V	4414 pF @ 15 V	-	1W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	U-DFN2523-6	6-PowerUDFN
SI7123DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 10.2A PPAK1212-8 Vishay Siliconix	0 现货	停产	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	10.2A（Ta）	1.8V，4.5V	10.6 毫欧 @ 15A，4.5V	1V @ 250µA	90 nC @ 4.5 V	±8V	3729 pF @ 10 V	-	1.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
NVMFS5885NLT1G MOSFET N-CH 60V 10.2A 5DFN onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	10.2A（Ta）	4.5V，10V	15 毫欧 @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	1340 pF @ 25 V	-	3.7W（Ta），54W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	5-DFN（5x6）（8-SOFL）	8-PowerTDFN，5 引线
NVMFS5885NLT3G MOSFET N-CH 60V 10.2A 5DFN onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	10.2A（Ta）	4.5V，10V	15 毫欧 @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	1340 pF @ 25 V	-	3.7W（Ta），54W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	5-DFN（5x6）（8-SOFL）	8-PowerTDFN，5 引线
NVMFS5885NLWFT1G MOSFET N-CH 60V 10.2A 5DFN onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	10.2A（Ta）	4.5V，10V	15 毫欧 @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	1340 pF @ 25 V	-	3.7W（Ta），54W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	5-DFN（5x6）（8-SOFL）	8-PowerTDFN，5 引线
NVMFS5885NLWFT3G MOSFET N-CH 60V 10.2A 5DFN onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	10.2A（Ta）	4.5V，10V	15 毫欧 @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	1340 pF @ 25 V	-	3.7W（Ta），54W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	5-DFN（5x6）（8-SOFL）	8-PowerTDFN，5 引线
FDS8878-F123 MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC onsemi	0 现货	停产	PowerTrench®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	10.2A（Ta）	4.5V，10V	14 毫欧 @ 10.2A，10V	2.5V @ 250µA	26 nC @ 10 V	±20V	897 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
FDS8878-G MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC onsemi	0 现货	停产	PowerTrench®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	10.2A（Ta）	4.5V，10V	14 毫欧 @ 10.2A，10V	2.5V @ 250µA	26 nC @ 10 V	±20V	897 pF @ 15 V	-	2.5W（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）