1.7A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 50
制造商
Goford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ C6CoolMOS™ CEQFET®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V50 V60 V100 V200 V400 V500 V600 V900 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V5V,10V10V13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
65 毫欧 @ 4.2A,4.5V117 毫欧 @ 500mA,10V120 毫欧 @ 3.8A,10V200 毫欧 @ 860mA,10V310 毫欧 @ 1A,10V335 毫欧 @ 1.25A,10V336 毫欧 @ 3.8A,10V350 毫欧 @ 850mA,10V700mOhm @ 1A, 10V3 欧姆 @ 400mA,13V3.3 欧姆 @ 500mA,10V3.4 欧姆 @ 500mA,10V3.6 欧姆 @ 1A,10V4.4 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.5V @ 250µA3.5V @ 30µA3.5V @ 40µA4V @ 1mA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.3 nC @ 10 V4.6 nC @ 10 V5.2 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 10 V6 nC @ 5 V6.5 nC @ 10 V7.5 nC @ 10 V8.5 nC @ 10 V12 nC @ 10 V13 nC @ 10 V15 nC @ 10 V18 nC @ 10 V20 nC @ 10 V38 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
65 pF @ 25 V84 pF @ 100 V93 pF @ 100 V121 pF @ 25 V170 pF @ 25 V195 pF @ 10 V250 pF @ 25 V265 pF @ 25 V290 pF @ 25 V344 pF @ 15 V350 pF @ 25 V450 pF @ 15 V490 pF @ 25 V500 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
830mW(Tc)1W(Tc)1.5W(Tc)1.76W(Tc)2W(Tc)2.5W(Ta),25W(Tc)2.5W(Ta),50W(Tc)3.1W(Ta),54W(Tc)3.3W(Tc)18W(Tc)18.1W(Tc)20W(Tc)26W(Tc)30W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-HVMDIPCPT3DPAKI2PAKIPAKPG-TO251-3PG-TO252-3SC-70-6SOT-223SOT-223-4SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)TO-220-3TO-220AB
封装/外壳
4-DIP(0.300",7.62mm)6-TSSOP,SC-88,SOT-363TO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-220-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AATO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
50结果
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/ 50
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD50R3K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Infineon Technologies
13,044
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.45414
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
1.7A(Tc)
13V
3 欧姆 @ 400mA,13V
3.5V @ 30µA
4.3 nC @ 10 V
±20V
84 pF @ 100 V
-
26W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SC-70-6
SQ1440EH-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Vishay Siliconix
17,427
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.59844
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.7A(Tc)
4.5V,10V
120 毫欧 @ 3.8A,10V
2.5V @ 250µA
5.5 nC @ 10 V
±20V
344 pF @ 15 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-70-6
SQ1470AEH-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Vishay Siliconix
270,578
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.59844
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.7A(Tc)
2.5V,4.5V
65 毫欧 @ 4.2A,4.5V
1.6V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±12V
450 pF @ 15 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
IPAK (TO-251)
SIHFU310-GE3
MOSFET N-CHANNEL 400V
Vishay Siliconix
2,807
现货
1 : ¥5.42000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.7A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
D-PAK (TO-252AA)
IRFR310TRPBF
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Vishay Siliconix
11,688
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.83561
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.7A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
FQD2N90TM
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
onsemi
10,400
现货
1 : ¥11.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.70934
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
1.7A(Tc)
10V
7.2 欧姆 @ 850mA,10V
5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±30V
500 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R3K3C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Infineon Technologies
3,965
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.29100
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
1.7A(Tc)
10V
3.3 欧姆 @ 500mA,10V
3.5V @ 40µA
4.6 nC @ 10 V
±20V
93 pF @ 100 V
-
18.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
RB098BM-40FNSTL
R6002END3TL1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Rohm Semiconductor
2,318
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.59908
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
1.7A(Tc)
10V
3.4 欧姆 @ 500mA,10V
4V @ 1mA
6.5 nC @ 10 V
±20V
65 pF @ 25 V
-
26W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
IRFR310TRPBF-BE3
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Vishay Siliconix
4,034
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.83561
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.7A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR310PBF
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Vishay Siliconix
2,342
现货
1 : ¥12.07000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.7A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IRFBF20SPBF
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Vishay Siliconix
757
现货
1 : ¥16.58000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
1.7A(Tc)
10V
8 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
490 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),54W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
IRFBF20PBF
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
Vishay Siliconix
739
现货
1 : ¥18.96000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
1.7A(Tc)
10V
8 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
490 pF @ 25 V
-
54W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB Full Pack
IRFIBC20GPBF
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
Vishay Siliconix
1,045
现货
1 : ¥21.51000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
1.7A(Tc)
10V
4.4 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO-263AB
IRFBF20STRLPBF
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Vishay Siliconix
1,416
现货
1 : ¥19.54000
剪切带(CT)
800 : ¥10.93105
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
1.7A(Tc)
10V
8 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
490 pF @ 25 V
-
3.1W(Ta),54W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-TO251-3
IPU50R3K0CEBKMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
1.7A(Tc)
13V
3 欧姆 @ 400mA,13V
3.5V @ 30µA
4.3 nC @ 10 V
±20V
84 pF @ 100 V
-
18W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
SSFT04N15
SSFL0954
MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.7A, 100V
Good-Ark Semiconductor
6,000
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88056
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.7A(Tc)
4.5V,10V
310 毫欧 @ 1A,10V
2.5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
1.76W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
I-PAK
FQU2N90TU-AM002
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
1.7A(Tc)
10V
7.2 欧姆 @ 850mA,10V
5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±30V
500 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
SOT-23-3
SQ2309ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
Vishay Siliconix
11,683
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77579
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.7A(Tc)
4.5V,10V
335 毫欧 @ 1.25A,10V
2.5V @ 250µA
8.5 nC @ 10 V
±20V
265 pF @ 25 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT223-3L
FQT7N10TF
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
onsemi
11,856
现货
1 : ¥5.75000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.17993
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.7A(Tc)
10V
350 毫欧 @ 850mA,10V
4V @ 250µA
7.5 nC @ 10 V
±25V
250 pF @ 25 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
I-PAK
FQU2N90TU-WS
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
onsemi
8,187
现货
1 : ¥12.07000
管件
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
1.7A(Tc)
10V
7.2 欧姆 @ 850mA,10V
5V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±30V
500 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
SOT223-3L
FQT7N10LTF
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
onsemi
41
现货
1 : ¥5.83000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.21891
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.7A(Tc)
5V,10V
350 毫欧 @ 850mA,10V
2V @ 250µA
6 nC @ 5 V
±20V
290 pF @ 25 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
G6N02L
G01N20LE
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Goford Semiconductor
811
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.90834
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
1.7A(Tc)
4.5V,10V
700mOhm @ 1A, 10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
580 pF @ 25 V
-
1.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2309ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Vishay Siliconix
42
现货
1 : ¥5.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77579
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.7A(Tc)
4.5V,10V
336 毫欧 @ 3.8A,10V
2.5V @ 250µA
8.5 nC @ 10 V
±20V
265 pF @ 25 V
-
2W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-251AA
IRFU310PBF
MOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA
Vishay Siliconix
0
现货
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1 : ¥11.74000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.7A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
D-PAK (TO-252AA)
IRFR310TRLPBF
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Vishay Siliconix
0
现货
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1 : ¥12.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.00248
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.7A(Tc)
10V
3.6 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
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2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
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表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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1.7A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。