存储器

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesMicron Technology Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAMNVSRAM
技术
NVSRAM(非易失性 SRAM)SDRAM - DDR3L
存储容量
1Mb1Gb
存储器组织
128K x 8128M x 8
写周期时间 - 字,页
25ns-
访问时间
20 ns25 ns
电压 - 供电
1.283V ~ 1.45V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)-40°C ~ 95°C(TC)
封装/外壳
48-TFBGA78-TFBGA
供应商器件封装
48-FBGA(6x10)78-FBGA(8x10.5)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
5,411
现货
1 : ¥39.08000
剪切带(CT)
2,000 : ¥27.95714
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
1Gb
128M x 8
并联
933 MHz
-
20 ns
1.283V ~ 1.45V
-40°C ~ 95°C(TC)
表面贴装型
78-TFBGA
78-FBGA(8x10.5)
48-FBGA
CY14B101LA-BA25XIT
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
2,000 : ¥145.66564
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
未验证
非易失
NVSRAM
NVSRAM(非易失性 SRAM)
1Mb
128K x 8
并联
-
25ns
25 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
48-TFBGA
48-FBGA(6x10)
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存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。