存储器

结果 : 2
制造商
Microchip TechnologyMicron Technology Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAMEEPROM
技术
EEPROMSDRAM
存储容量
2Kb256Mb
存储器组织
128 x 1616M x 16
存储器接口
Microwire并联
时钟频率
2 MHz167 MHz
写周期时间 - 字,页
12ns6ms
电压 - 供电
2.5V ~ 5.5V3V ~ 3.6V
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC54-TSOP II
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
93LC56BT-I/SN
IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8SOIC
Microchip Technology
11,820
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,300 : ¥2.45229
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
已验证
非易失
EEPROM
EEPROM
2Kb
128 x 16
Microwire
2 MHz
6ms
-
2.5V ~ 5.5V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
3,198
现货
1 : ¥43.68000
剪切带(CT)
2,000 : ¥30.14194
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM
256Mb
16M x 16
并联
167 MHz
12ns
5.4 ns
3V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
54-TSOP II
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存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。