存储器

结果 : 2
系列
-e•MMC™
包装
托盘
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
SDRAM - 移动 LPDDR4X闪存 - NAND
存储容量
32Gb128Gb
存储器组织
1G x 3216G x 8
存储器接口
MMC并联
写周期时间 - 字,页
18ns-
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V1.7V ~ 1.9V
工作温度
-40°C ~ 105°C(TA)-40°C ~ 95°C(TC)
封装/外壳
153-TFBGA200-TFBGA
供应商器件封装
153-TFBGA(11.5x13)200-TFBGA(10x14.5)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
153-TFBGA
MTFC16GAPALBH-AAT
IC FLASH 128GBIT MMC 153TFBGA
Micron Technology Inc.
909
现货
1 : ¥198.02000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
闪存 - NAND
128Gb
16G x 8
MMC
-
-
-
1.7V ~ 1.9V
-40°C ~ 105°C(TA)
表面贴装型
153-TFBGA
153-TFBGA(11.5x13)
993
现货
1 : ¥315.10000
-
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - 移动 LPDDR4X
32Gb
1G x 32
并联
2.133 GHz
18ns
3.5 ns
1.06V ~ 1.17V
-40°C ~ 95°C(TC)
表面贴装型
200-TFBGA
200-TFBGA(10x14.5)
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存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。