存储器

结果 : 3
制造商
ISSI, Integrated Silicon Solution IncMicron Technology Inc.
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
FLASH - NORSDRAM - DDR3SDRAM - DDR3L
存储容量
128Mb1Gb4Gb
存储器组织
16M x 864M x 16256M x 16
存储器接口
SPI - 四 I/O并联
时钟频率
133 MHz800 MHz933 MHz
写周期时间 - 字，页
15ns8ms，2.8ms-
电压 - 供电
1.283V ~ 1.45V1.425V ~ 1.575V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）0°C ~ 85°C（TC）0°C ~ 95°C（TC）
封装/外壳
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）96-TFBGA
供应商器件封装
8-SO96-FBGA（8x14）96-TWBGA（9x13）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
2,223
现货
1 : ¥29.31000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3
1Gb
64M x 16
并联
800 MHz
15ns
20 ns
1.425V ~ 1.575V
0°C ~ 85°C（TC）
表面贴装型
96-TFBGA
96-TWBGA（9x13）
8-SOIC
MT25QL128ABA1ESE-0SIT
IC FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 8SO
Micron Technology Inc.
1,730
现货
1 : ¥33.08000
托盘
-
托盘
在售
已验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
128Mb
16M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
8ms，2.8ms
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SO
19,938
现货
1 : ¥56.07000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR3L
4Gb
256M x 16
并联
933 MHz
-
20 ns
1.283V ~ 1.45V
0°C ~ 95°C（TC）
表面贴装型
96-TFBGA
96-FBGA（8x14）
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。