存储器

结果 : 2
制造商
Alliance Memory, Inc.Winbond Electronics
系列
-SpiFlash®
包装
托盘管件
DigiKey 可编程
已验证未验证
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
FLASH - NORSDRAM
存储容量
64Mbit128Mb
存储器组织
4M x 1616M x 8
存储器接口
SPI - 四 I/O,QPI,DTR并联
时钟频率
133 MHz166 MHz
写周期时间 - 字,页
2ns3ms
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V3V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 105°C(TA)-40°C ~ 85°C(TA)
封装/外壳
8-WDFN 裸露焊盘54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装
8-WSON(6x5)54-TSOP II
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-WSON 6x5
W25Q128JVPIQ
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
Winbond Electronics
76,702
现货
1 : ¥14.20000
管件
管件
在售
已验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
128Mb
16M x 8
SPI - 四 I/O,QPI,DTR
133 MHz
3ms
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
-
-
表面贴装型
8-WDFN 裸露焊盘
8-WSON(6x5)
54-TSOP
AS4C4M16SA-6TAN
IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
Alliance Memory, Inc.
31
现货
1 : ¥30.21000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM
64Mbit
4M x 16
并联
166 MHz
2ns
5.4 ns
3V ~ 3.6V
-40°C ~ 105°C(TA)
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
54-TSOP II
显示
/ 2

存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。