存储器

结果 : 2
系列
F-RAM™MoBL®
存储器类型
易失非易失
存储器格式
FRAMSRAM
技术
FRAM(铁电体 RAM)SRAM - 异步
存储容量
4Mb16Mb
存储器组织
256K x 161M x 16
写周期时间 - 字,页
55ns110ns
访问时间
55 ns110 ns
电压 - 供电
2.2V ~ 3.6V2.7V ~ 3.6V
封装/外壳
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
供应商器件封装
44-TSOP II48-TSOP I
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
48-TSOP
CY62167DV30LL-55ZXI
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
Infineon Technologies
2,118
现货
1 : ¥188.40000
托盘
托盘
在售
未验证
易失
SRAM
SRAM - 异步
16Mb
1M x 16
并联
55ns
55 ns
2.2V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
48-TSOP I
44-TSOP II
FM22L16-55-TG
IC FRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Infineon Technologies
2,062
现货
1 : ¥321.48000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
FRAM
FRAM(铁电体 RAM)
4Mb
256K x 16
并联
110ns
110 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
44-TSOP II
显示
/ 2

存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。