存储器

结果 : 2
系列
-F-RAM™
存储器格式
FRAMNVSRAM
技术
FRAM(铁电体 RAM)NVSRAM(非易失性 SRAM)
存储容量
2Mb4Mb
存储器组织
128K x 16256K x 16
写周期时间 - 字,页
45ns90ns
访问时间
45 ns90 ns
电压 - 供电
2V ~ 3.6V3V ~ 3.63V
工作温度
-40°C ~ 125°C(TA)-40°C ~ 85°C(TA)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
44-TSOP II
FM28V202A-TG
IC FRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
Infineon Technologies
1,910
现货
1 : ¥247.86000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
FRAM
FRAM(铁电体 RAM)
2Mb
128K x 16
并联
90ns
90 ns
2V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
44-TSOP II
44-TSOP II
CY14B104NA-ZS45XE
IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
Infineon Technologies
2,563
现货
1 : ¥131.93000
托盘
135 : ¥336.88281
托盘
-
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
NVSRAM
NVSRAM(非易失性 SRAM)
4Mb
256K x 16
并联
45ns
45 ns
3V ~ 3.63V
-40°C ~ 125°C(TA)
表面贴装型
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
44-TSOP II
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存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。