存储器

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesMicron Technology Inc.
系列
-Semper™
包装
托盘散装盒
存储器类型
易失非易失
存储器格式
DRAM闪存
技术
FLASH - NORFLASH - NOR（SLC）SDRAM - 移动 LPDDR4X
存储容量
512Mb1Gb64Gb
存储器组织
64M x 8128M x 82G x 32
存储器接口
SPI - 八 I/OSPI - 四 I/O并联
时钟频率
133 MHz200 MHz2.133 GHz
写周期时间 - 字，页
18ns1.7ms8ms，2.8ms
访问时间
3.5 ns5.45 ns
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V1.7V ~ 2V
工作温度
-40°C ~ 125°C（TA）-40°C ~ 125°C（TC）
封装/外壳
24-TBGA24-VBGA200-TFBGA
供应商器件封装
24-FBGA（6x8）24-T-PBGA（6x8）200-TFBGA（10x14.5）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
24-FBGA
S28HS512TGABHM010
IC FLASH 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Infineon Technologies
570
现货
1 : ¥160.41000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR（SLC）
512Mb
64M x 8
SPI - 八 I/O
200 MHz
1.7ms
5.45 ns
1.7V ~ 2V
-40°C ~ 125°C（TA）
-
-
表面贴装型
24-VBGA
24-FBGA（6x8）
1,342
现货
1 : ¥195.55000
散装
-
散装
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
1Gb
128M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
8ms，2.8ms
-
1.7V ~ 2V
-40°C ~ 125°C（TA）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
24-TBGA
24-T-PBGA（6x8）
0
现货
查看交期
1,360 : ¥583.64223
盒
-
盒
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - 移动 LPDDR4X
64Gb
2G x 32
并联
2.133 GHz
18ns
3.5 ns
1.06V ~ 1.17V
-40°C ~ 125°C（TC）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
200-TFBGA
200-TFBGA（10x14.5）
显示
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。